[发明专利]电阻变化元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201180030286.2 申请日: 2011-06-21
公开(公告)号: CN102947935A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 有田浩二;三河巧 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军;蒋巍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 电阻变化元件的制造方法包括:在基板上的层间绝缘膜中形成导电性塞柱的工序(1000~1004);以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部及跨多个上述导电性塞柱产生的上述层间绝缘膜的凹部除去,并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜上表面突出的方式,使上述层间绝缘膜上表面平坦的工序(1005);在上述层间绝缘膜及上述导电性塞柱上,形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序(1006);将上述下部电极层上表面的突出部除去,使上述下部电极层上表面平坦的工序(1007);在上述下部电极层上形成电阻变化层的工序(1008);在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序(1008);及加工形成下部电极、电阻变化层及上部电极的工序(1009)。
搜索关键词: 电阻 变化 元件 制造 方法
【主权项】:
一种电阻变化元件的制造方法,包括:在基板上形成层间绝缘膜的工序;在上述层间绝缘膜内形成接触孔的工序;在上述接触孔内以及上述层间绝缘膜上堆积导电材料的工序;通过将堆积在上述层间绝缘膜上的上述导电材料除去,由此在上述接触孔内形成导电性塞柱的工序;以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部、以及跨多个上述导电性塞柱而产生的上述层间绝缘膜的凹部除去,并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜的上表面突出的方式,使上述层间绝缘膜的上表面平坦的工序;在上述层间绝缘膜以及上述导电性塞柱上,形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序;将上述下部电极层的上表面的突出部除去,而使上述下部电极层的上表面平坦的工序;在上述下部电极层上,形成基于电脉冲的施加而电阻值可逆地变化的电阻变化层的工序;在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序;以及在由上述下部电极层、上述电阻变化层以及上述上部电极层构成的层叠构造中,残留上述导电性塞柱的附近部分的上述层叠构造,而将其它部分的层叠构造除去的工序。
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