[发明专利]电阻变化元件的制造方法有效
申请号: | 201180030286.2 | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN102947935A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 有田浩二;三河巧 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军;蒋巍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 电阻变化元件的制造方法包括:在基板上的层间绝缘膜中形成导电性塞柱的工序(1000~1004);以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部及跨多个上述导电性塞柱产生的上述层间绝缘膜的凹部除去,并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜上表面突出的方式,使上述层间绝缘膜上表面平坦的工序(1005);在上述层间绝缘膜及上述导电性塞柱上,形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序(1006);将上述下部电极层上表面的突出部除去,使上述下部电极层上表面平坦的工序(1007);在上述下部电极层上形成电阻变化层的工序(1008);在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序(1008);及加工形成下部电极、电阻变化层及上部电极的工序(1009)。 | ||
搜索关键词: | 电阻 变化 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电阻变化元件的制造方法,包括:在基板上形成层间绝缘膜的工序;在上述层间绝缘膜内形成接触孔的工序;在上述接触孔内以及上述层间绝缘膜上堆积导电材料的工序;通过将堆积在上述层间绝缘膜上的上述导电材料除去,由此在上述接触孔内形成导电性塞柱的工序;以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部、以及跨多个上述导电性塞柱而产生的上述层间绝缘膜的凹部除去,并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜的上表面突出的方式,使上述层间绝缘膜的上表面平坦的工序;在上述层间绝缘膜以及上述导电性塞柱上,形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序;将上述下部电极层的上表面的突出部除去,而使上述下部电极层的上表面平坦的工序;在上述下部电极层上,形成基于电脉冲的施加而电阻值可逆地变化的电阻变化层的工序;在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序;以及在由上述下部电极层、上述电阻变化层以及上述上部电极层构成的层叠构造中,残留上述导电性塞柱的附近部分的上述层叠构造,而将其它部分的层叠构造除去的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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