[发明专利]电阻变化元件的制造方法

权利要求书

1.一种电阻变化元件的制造方法，包括：

在基板上形成层间绝缘膜的工序；

在上述层间绝缘膜内形成接触孔的工序；

在上述接触孔内以及上述层间绝缘膜上堆积导电材料的工序；

通过将堆积在上述层间绝缘膜上的上述导电材料除去，由此在上述接触孔内形成导电性塞柱的工序；

以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部、以及跨多个上述导电性塞柱而产生的上述层间绝缘膜的凹部除去，并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜的上表面突出的方式，使上述层间绝缘膜的上表面平坦的工序；

在上述层间绝缘膜以及上述导电性塞柱上，形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序；

将上述下部电极层的上表面的突出部除去，而使上述下部电极层的上表面平坦的工序；

在上述下部电极层上，形成基于电脉冲的施加而电阻值可逆地变化的电阻变化层的工序；

在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序；以及

在由上述下部电极层、上述电阻变化层以及上述上部电极层构成的层叠构造中，残留上述导电性塞柱的附近部分的上述层叠构造，而将其它部分的层叠构造除去的工序。

2.如权利要求1记载的电阻变化元件的制造方法，其中，

在使上述层间绝缘膜的上表面平坦的工序中，使用CMP法。

3.如权利要求2记载的电阻变化元件的制造方法，其中，

在使上述下部电极层的上表面平坦的工序中，使用CMP法。

4.如权利要求1记载的电阻变化元件的制造方法，其中，

在残留上述导电性塞柱的附近部分的上述层叠构造，而将其它部分的层叠构造除去的工序中，使用干式蚀刻法。

5.如权利要求1记载的电阻变化元件的制造方法，其中，

上述下部电极层由钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)以及氮化钨(WN)中的任意一种构成。

6.如权利要求1记载的电阻变化元件的制造方法，其中，

形成上述下部电极层的工序包括：

在上述层间绝缘膜以及上述导电性塞柱的上方，形成与上述导电性塞柱电连接的第一下部电极层的工序；以及

在上述第一下部电极层之上，形成与上述第一下部电极层材料不同的第二下部电极层的工序。

7.如权利要求1记载的电阻变化元件的制造方法，其中，

包括：

在上述上部电极层之上形成半导体层或者绝缘体层的工序；以及

在上述半导体层或者绝缘体层之上形成二极管电极层的工序。

8.一种电阻变化元件的制造方法，包括：

在基板上形成层间绝缘膜的工序；

在上述层间绝缘膜内形成接触孔的工序；

在上述接触孔内以及上述层间绝缘膜上堆积导电材料的工序；

通过将堆积在上述层间绝缘膜上的上述导电材料除去，由此在上述接触孔内形成导电性塞柱的工序；

以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部、以及跨多个上述导电性塞柱而产生的上述层间绝缘膜的凹部除去，并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜的上表面突出的方式，使上述层间绝缘膜的上表面平坦的工序；

在上述层间绝缘膜以及上述导电性塞柱上，形成与上述导电性塞柱电连接的二极管电极层的工序；

将上述二极管电极层的上表面的突出部除去，而使上述二极管电极层的上表面平坦的工序；

在上述二极管电极层上，形成半导体层或者绝缘体层的工序；

在上述半导体层或者绝缘体层上形成下部电极层的工序；

在上述下部电极层上，形成基于电脉冲的施加而电阻值可逆地变化的电阻变化层的工序；

在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序；以及

在由上述二极管电极层、上述半导体层或者绝缘体层、上述下部电极层、上述电阻变化层以及上述上部电极层构成的层叠构造中，残留上述导电性塞柱的附近部分的上述层叠构造，而将其它部分的层叠构造除去的工序。