[发明专利]多孔和非多孔纳米结构有效
| 申请号: | 201180023164.0 | 申请日: | 2011-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN103081107B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
| 发明(设计)人: | M·费拉里;X·刘;C·基亚皮尼;J·R·法侯瑞 | 申请(专利权)人: | 得克萨斯州大学系统董事会 |
| 主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/306;H01L23/48;H01L23/532 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 沙永生 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明公开了各种微米级和纳米级多孔及非多孔线状结构。例如,本发明公开的结构包含多孔物体,所述多孔物体包含(i)第一区域;以及(ii)沿着所述物体的轴邻近所述第一区域的第二区域,其中所述第一区域具有至少一种不同于第二区域的孔性质。本发明还公开了包括以下内容的结构(i)高电阻率硅;以及(ii)基本上垂直于该物体的轴的横截面。本发明还公开了制备和使用这种结构的方法。例如,本发明提供了通过以下步骤制备多孔物体的方法(i)获得可蚀刻基片;(ii)在基片表面上形成图案化的多孔化辅助金属层,该金属层具有至少一个开口;以及(iii)随后使基片受第一蚀刻溶液和第二蚀刻溶液作用,分别形成多孔物体的第一区域和第二区域。 | ||
| 搜索关键词: | 多孔 纳米 结构 | ||
【主权项】:
一种包含多孔物体的结构,所述多孔物体包含:(i)第一区域;以及(ii)沿着所述物体的轴邻近所述第一区域的第二区域,其中所述第一区域具有至少一种不同于所述第二区域的孔性质,所述性质选自孔径、孔隙率和孔取向,以及其中所述物体具有垂直于所述轴的横截面,所述横截面具有至少一个不超过5μm的横向尺寸,所述物体的纵横比不小于4。
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