[发明专利]多孔和非多孔纳米结构

权利要求书

1.一种包含多孔物体的结构，所述多孔物体包含：

(i)第一区域；以及

(ii)沿着所述物体的轴邻近所述第一区域的第二区域，

其中所述第一区域具有至少一种不同于所述第二区域的孔性质，

所述性质选自孔径、孔隙率和孔取向，以及

其中所述物体具有基本上垂直于所述轴的横截面，所述横截面具有至少一个不超过5μm的横向尺寸，所述物体的纵横比不小于4。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述多孔物体是多孔半导体。

3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，所述多孔物体是硅多孔线、条带或带。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述物体的横截面具有至少一个不超过1μm的横向尺寸。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述物体的横向尺寸不超过500nm。

6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述物体的纵横比不小于10。

7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，所述物体的纵横比不小于20。

8.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域各自是多孔区域。

9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一区域的孔径和所述第二区域的孔径各自小于100nm。

10.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一区域的孔径不同于所述第二区域的孔径。

11.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一区域与所述第二区域之间的转变区域沿着所述物体的轴的长度小于10nm。

12.如权利要求1所述的结构，其特征在于，在所述第一区域的孔内包含第一填充物。

13.如权利要求12所述的结构，其特征在于，所述第一填充物包含纳米粒子。

14.如权利要求13所述的结构，其特征在于，所述纳米粒子包含量子点。

15.如权利要求12所述的结构，其特征在于，还在所述第二区域的孔内包含第二填充物。

16.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域中的至少一个区域是可生物降解区域。

17.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述物体是可生物降解物体。

18.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述结构还包含多孔物体阵列，每个物体包含：

(i)第一区域；以及

(ii)沿着所述物体的轴邻近所述第一区域的第二区域，

其中所述第一区域具有至少一种不同于所述第二区域的孔性质，

所述性质选自孔径、孔隙率和孔取向。

19.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述物体的横截面具有矩形形状或圆形形状。

20.一种包含多孔物体的结构，所述多孔物体包含：

(i)高电阻率硅；以及

(ii)基本上垂直于所述物体的轴的横截面，其中所述横截面具有不超过5μm的横向尺寸，以及

其中所述物体的纵横比不小于4。

21.如权利要求20所述的结构，其特征在于，所述物体的横向尺寸不超过500nm。

22.如权利要求20所述的结构，其特征在于，所述物体的纵横比不小于10。

23.如权利要求22所述的结构，其特征在于，所述物体的纵横比不小于20。

24.如权利要求20所述的结构，其特征在于，所述物体的孔径不超过100nm。

25.如权利要求20所述的结构，其特征在于，所述物体是可生物降解物体。

26.如权利要求20所述的结构，其特征在于，所述结构还包含基片，其中所述物体设置在所述基片上。

27.如权利要求26所述的结构，其特征在于，所述基片是多孔基片。

28.如权利要求20所述的结构，其特征在于，所述物体的横截面具有矩形形状或圆形形状。