[发明专利]使用金属纳米线的透明导体的蚀刻构图无效
| 申请号： | 201180022810.1 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN103069502A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 艾德里安·维诺托;杰弗瑞·沃克 | 申请（专利权）人： | 凯博瑞奥斯技术公司 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22;H01L31/0224;H01L31/18;H01L51/52;H05K1/09;H01L51/00;H05K9/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了构图的透明导体，其包括涂布在衬底上的传导层。更具体地，可以通过在传导层上丝网印刷酸蚀刻制剂而对透明导体进行构图。还公开了可丝网印刷的蚀刻制剂。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 金属 纳米 透明 导体 蚀刻 构图 | ||
【主权项】：
方法，其包括：提供包含多条互连的金属纳米线的透明导体；在透明导体上根据图案丝网印刷酸性蚀刻剂；以及通过根据图案进行蚀刻而提供构图的透明导体，所述图案界定了蚀刻区和未蚀刻区。
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