[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201180021805.9 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102934169A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 黑田直喜 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/413;G11C11/419 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置。其中具备与读出用位线及写入用位线对相连的存储器单元(1)和与读出用位线相连的数据放大器(2)。预充电电位重新设定电路(3)利用根据由数据放大器(2)放大后的存储器单元(1)的数据而对写入用位线对生成预充电电位的功能，将未被选择的写入用位线对的预充电电位设定为相当于存储器单元(1)的保持数据的电位关系。由此，可以防止写入时的未被选择存储器单元(1)的数据破坏，并且使动作高速化且实现小面积化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，具备：存储器单元，由构成为利用第1及第2电路要素来存储数据的数据保持电路、及包括配置成将该数据保持电路与读出用位线及写入用位线对相连的晶体管在内的电路构成；数据放大器，与所述读出用位线相连；和下拉式晶体管，分别与所述写入用位线对相连，所述数据放大器的输出与一个所述下拉式晶体管的栅电极连接，另一所述下拉式晶体管的栅电极与所述写入用位线对的一方连接。
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