[发明专利]光掩模单元及其制造方法有效
申请号: | 201180017361.1 | 申请日: | 2011-03-10 |
公开(公告)号: | CN102822744A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 秋山昌次;久保田芳宏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/64;H01L21/027 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种适宜于使用EUV曝光技术,在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的光刻用光掩模,以提供能确实地防止光掩模的平坦度发生恶化的光掩模单元为目的。本发明的光掩模单元1为:防尘薄膜6、在其一个表面粘贴有防尘薄膜6的侧部近旁区域的防尘薄膜组件框架7、光掩模2、其一个表面固定有光掩模2及防尘薄膜组件框架7的台子3,防尘薄膜组件框架7在比固定有光掩模2的台子3的范围还要靠外的侧被固定于台子3上。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光掩模单元,包括:防尘薄膜;防尘薄膜组件框架,其形成框架状,其一个端面上粘贴所述防尘薄膜的侧部近旁区域;光掩模;台子,在其一个表面上固定有所述光掩模及所述防尘薄膜组件框架,其特征在于所述防尘薄膜组件框架,在比固定所述光掩模的台子的范围还要靠外侧被固定于所述台子上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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