[发明专利]用于半导体设备的无图案塌陷湿处理的方法和装置有效
| 申请号： | 201180006827.8 | 申请日： | 2011-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102714155B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 卡特里娜·米哈利钦科;丹尼斯·肖明;傅乾;格伦·W·盖尔;刘身健;马克·H·威尔科克森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种处理在半导体设备制造中所使用的晶片的方法。所述方法可包括在所述晶片上形成高深宽比特征，紧随其后是湿处理和干燥。在干燥过程中，可能发生图案塌陷。该图案塌陷可以被修复如以便能进行所述晶片的附加处理。在一些情况下，图案塌陷可以通过蚀刻来修复，其中该蚀刻打破在图案塌陷期间形成的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体设备 图案 塌陷 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种处理在制造半导体设备中所使用的晶片的方法，所述方法包括：在所述晶片上的层中形成多个高深宽比特征；执行所述晶片的湿处理；随后干燥所述晶片，其引起图案塌陷；以及在所述多个高深宽比特征中通过干修整处理或湿蚀刻修整处理修复所述图案塌陷,其中所述多个高深宽比特征中的至少部分的深宽比为10比1或者更高,以及其中所述修复打破在干燥期间在相邻特征间形成的连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
