[发明专利]载置台构造和处理装置无效
| 申请号： | 201180005811.5 | 申请日： | 2011-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN102714172A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 川崎裕雄;齐藤哲也;长冈秀树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种载置台构造，其设置于能够进行排气的处理容器内，用于载置要处理的被处理体，该载置台构造的特征在于，具备：载置台，其用于载置所述被处理体，至少设置有加热单元，由电介质形成；和支柱，其为了支承所述载置台而从所述处理容器的底部侧竖起地设置，并且上端部与所述载置台的下表面连结，在内部具有沿着长度方向形成的多个贯通孔，且由电介质形成。 | ||
| 搜索关键词： | 载置台 构造 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种载置台构造，其设置于能够进行排气的处理容器内，用于载置要处理的被处理体，所述载置台构造的特征在于，具备：载置台，其用于载置所述被处理体，至少设置有加热单元，由电介质形成；和支柱，其为了支承所述载置台而从所述处理容器的底部侧竖起地设置，并且上端部与所述载置台的下表面连结，在内部具有沿着长度方向形成的多个贯通孔，且由电介质形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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