[发明专利]载置台构造和处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片等的被处理体的处理装置和载置台构造。

背景技术

通常，在制造半导体集成电路时，对半导体晶片等的被处理体反复进行成膜处理、蚀刻处理、热处理、改性处理、结晶化处理等的各种单片处理，形成所希望的集成电路。在进行如上所述的各种处理的情况下，相应于该处理的种类，需要将必要的处理气体，例如在成膜处理的情况下为成膜气体或者卤素气体、在改性处理的情况下为臭氧气体等、在结晶化处理的情况下为N₂气体等的非活泼性气体或O₂气体等分别导入处理容器内。

以对半导体晶片按每一个实施热处理的单片式的处理装置为例，在能够抽真空的处理容器内，例如将电阻加热器设置于内置的载置台，在其上表面载置半导体晶片，在以规定的温度（例如100℃至1000℃）进行加热的状态下流通规定的处理气体，在规定的处理条件下对晶片实施各种热处理（特开平07-078766号公报、特开平03-220718号公报、特开2004-356624号公报、特开2002-313900号公报）。因此，关于处理容器内的部件，要求对于这些加热具有耐热性，和具有即使被暴露于处理气体中也不被腐蚀的耐腐蚀性。

但是，关于载置半导体晶片的载置台的结构，通常要求使其具有耐热性和耐腐蚀性，而且要求防止金属污染物等的金属污染，因此，例如在氮化铝（AlN）等的陶瓷材料中埋入电阻加热器作为发热体，在高温下进行一体烧结形成载置台，通过其它工序同样烧结陶瓷材料等形成支柱，将一体烧结而成的载置台一侧和上述支柱通过例如热扩散接合而熔接形成一体化，制造载置台构造。然后，使上述那样一体成形的载置台构造竖立设置在处理容器内的底部。另外，代替上述陶瓷材料，也可以使用具有耐热性、耐腐蚀性，而且热伸缩少的石英玻璃。

在此，关于现有的载置台构造的一个例子进行说明。图8是表示现有的载置台构造的一个例子的截面图。该载置台构造设置于能够进行真空排气的处理容器内，如图8所示，具有由氮化铝（AlN）等的陶瓷材料形成的圆板状的载置台2。并且，该载置台2的下表面的中央部通过热扩散接合与同样例如由氮化铝（AlN）等的陶瓷材料形成的圆筒状的支柱4一体化地接合。

即，两者通过热扩散接合部6而气密地接合。在此，关于载置台2的大小，例如在晶片尺寸为300mm的情况下，直径为350mm左右，支柱4的直径为56mm左右。在载置台2内，设置于例如由加热器等形成的加热单元8，对载置台2上的作为被处理体的半导体晶片W进行加热。

支柱4的下端部通过固定块10被固定在容器底部9，成为竖立状态。并且，在圆筒状的支柱4内，设置有其上端通过连接端子12与加热单元8连接的供电棒14。在该供电棒14的下端部一侧通过绝缘部件16向下方贯通容器底部，向外部伸出。通过这样的结构，防止处理气体等向支柱4内侵入，防止供电棒14和连接端子12等被上述腐蚀性的处理气体腐蚀。另外，在特开2002-313900号公报中公开有如下所述的载置台构造，即：将载置台用配置于其周边部的多个圆筒状的支承部件支承，并且在这些圆筒状的支承部件内能够升降地收容有顶起销。

但是，在处理装置的维护时等，在发生需要移动或者搬送处理装置本身的情况下，为了迅速地进行作业，需要在保持将上述那样的载置台构造组装在处理装置内的状态下，对处理装置进行移动或者搬送。在这样的情况下，上述的将圆筒状的支柱4的上端与载置台2的下表面接合仅固定两者的结构中，该接合部分的强度不足，有可能在这些部分发生分裂等。另外，由于支柱4本身也是比较薄壁的结构，因此支柱4自身也有可能破损。

另外，由于地震等的较大的振动，也有可能引起载置台自身发生共振而破损。这样的危险性在特开2002-313900号公报所示的、有多个支承部件支承载置台的载置台构造中也同样存在。尤其，晶片W的直径具有从300mm左右向更大口径化发展的趋势，因此，与此相伴载置台2自身的直径也变得更大，预计其进一步重量化，因此希望尽早解决上述课题。

发明内容

本发明鉴于上述课题而完成，是要有效解决上述课题的发明。本发明是能够提高载置台与支柱的连结部的强度和支柱自身的强度的载置台构造和处理装置。

本发明是一种载置台构造，其设置于能够进行排气的处理容器内用于载置要处理的被处理体，该载置台构造的特征在于，具备：载置台，其用于载置上述被处理体的，至少设置有加热单元，由电介质形成；和支柱，其为了支承上述载置台而从上述处理容器的底部侧竖起地设置，并且上端部与上述载置台的下表面连结，在内部具有沿着长度方向形成的多个贯通孔，由电介质形成。