[发明专利]载置台构造和处理装置无效
| 申请号: | 201180005811.5 | 申请日: | 2011-02-08 |
| 公开(公告)号: | CN102714172A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
| 发明(设计)人: | 川崎裕雄;齐藤哲也;长冈秀树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 载置台 构造 处理 装置 | ||
1.一种载置台构造,其设置于能够进行排气的处理容器内,用于载置要处理的被处理体,所述载置台构造的特征在于,具备:
载置台,其用于载置所述被处理体,至少设置有加热单元,由电介质形成;和
支柱,其为了支承所述载置台而从所述处理容器的底部侧竖起地设置,并且上端部与所述载置台的下表面连结,在内部具有沿着长度方向形成的多个贯通孔,且由电介质形成。
2.如权利要求1所述的载置台构造,其特征在于:
所述支柱与所述载置台的下表面的中心部连结。
3.如权利要求2所述的载置台构造,其特征在于:
所述载置台与所述支柱通过熔接连结。
4.如权利要求2所述的载置台构造,其特征在于:
所述载置台与所述支柱通过连结部件连结。
5.如权利要求1~4中任一项所述的载置台构造,其特征在于:
在所述各贯通孔内插通有1个或者多个功能棒体。
6.如权利要求5所述的载置台构造,其特征在于:
所述功能棒体为与所述加热单元侧电连接的加热器供电棒。
7.如权利要求5所述的载置台构造,其特征在于:
在所述载置台设置有静电卡盘用的卡盘电极,
所述功能棒体为与所述卡盘电极电连接的卡盘用供电棒。
8.如权利要求5所述的载置台构造,其特征在于:
在所述载置台设置有用于施加高频电力的高频电极,
所述功能棒体为与所述高频电极电连接的高频供电棒。
9.如权利要求5所述的载置台构造,其特征在于:
在所述载置台设置有兼用作静电卡盘用的卡盘电极和用于施加高频电力的高频电极的兼用电极,
所述功能棒体为与所述兼用电极电连接的兼用供电棒。
10.如权利要求5所述的载置台构造,其特征在于:
所述功能棒体为用于测定所述载置台的温度的热电偶。
11.如权利要求5所述的载置台构造,其特征在于:
所述功能棒体为用于测定所述载置台的温度的辐射温度计的光纤。
12.如权利要求1~11中任一项所述的载置台构造,其特征在于:
所述载置台具备:设置有所述加热单元的载置台主体;和热扩散板,设置在所述载置台主体的上表面侧,由与所述载置台主体的形成材料不同的不透明的电介质形成。
13.如权利要求12所述的载置台构造,其特征在于:
在所述热扩散板内设置有卡盘电极、高频电极和兼用电极中的任一个。
14.如权利要求12或13所述的载置台构造,其特征在于:
非活性气体供给到所述载置台主体和所述热扩散板之间。
15.如权利要求1~14中任一项所述的载置台构造,其特征在于:
非活性气体供给到所述多个贯通孔的全部或者一部分中。
16.如权利要求1~15中任一项所述的载置台构造,其特征在于:
在所述支柱的上端部和/或下端部形成有成为凹部状的削入部。
17.一种处理装置,用于对被处理体实施处理,所述处理装置的特征在于,具备:
能够进行排气的处理容器;
用于载置所述被处理体的权利要求1~16中任一项所述的载置台构造;和
向所述处理容器内供给气体的气体供给单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





