[实用新型]一种硅塑封快恢复整流二极管有效

专利信息
申请号: 201120549218.4 申请日: 2011-12-26
公开(公告)号: CN202405270U 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 孔明 申请(专利权)人: 常州福达电子有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L23/28
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213177 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及半导体器件,尤其是一种硅塑封快恢复整流二极管,包括二极管本体、引脚和塑封外壳,二极管本体位于塑封外壳内,二极管本体由P型半导体层、N型半导体层、及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层组成,P型半导体层和N型半导体层各焊接有一根引脚,引脚位于塑封外壳外,塑封外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的紫外光固化油墨层。本实用新型结构简单,二极管本体在塑封外壳内确保其电气特性不受影响,塑封外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层,在更换硅塑封快恢复整流二极管时,就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上,从而避免了硅塑封快恢复整流二极管击穿损坏。
搜索关键词: 一种 塑封 恢复 整流二极管
【主权项】:
一种硅塑封快恢复整流二极管,其特征在于:包括二极管本体(1)、引脚(2)和塑封外壳(3),所述的二极管本体(1)位于塑封外壳(3)内,二极管本体(1)由P型半导体层(4)、N型半导体层(5)、及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层(6)组成,所述的P型半导体层(4)和N型半导体层(5)各焊接有一根引脚(2),所述的引脚(2)位于塑封外壳(3)外,塑封外壳(3)上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体(1)工作参数的紫外光固化油墨层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州福达电子有限公司,未经常州福达电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120549218.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top