专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种小功率稳压二极管-CN201120549566.1有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-12-26 - 2012-08-29 - H01L29/861
  • 本实用新型涉及半导体器件,尤其是一种小功率稳压二极管。一种小功率稳压二极管,包括二极管本体和引线,所述的二极管本体为圆柱体结构,二极管本体的管身长为4.0~4.5mm,管身直径为1.8~2.2mm,引线直径为0.4~0.6mm,所述的二极管本体外有一层可以清楚显示出二极管本体稳定电压值的印刷层。本实用新型结构简单,二极管本体外有一层可以清楚显示出二极管本体稳定电压值的印刷层,在更换小功率稳压二极管时,就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上,从而避免了小功率稳压二极管的损坏。
  • 一种功率稳压二极管
  • [实用新型]一种硅塑封小功率稳压二极管-CN201120549975.1有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-12-26 - 2012-08-29 - H01L23/06
  • 本实用新型涉及半导体器件,尤其是一种硅塑封小功率稳压二极管。一种硅塑封小功率稳压二极管,包括二极管本体、封装外壳和引脚,所述的二极管本体位于封装外壳内,所述的引脚位于封装外壳外,所述的封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体标称稳定电压值的色环涂层。本实用新型结构简单,二极管本体在封装外壳内确保其电气特性不受影响,封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体标称稳定电压值的色环涂层,在更换硅塑封稳压小功率二极管时,就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上,从而避免了硅塑封稳压小功率二极管的损坏。
  • 一种塑封功率稳压二极管
  • [实用新型]一种硅塑封稳压二极管-CN201120550041.X有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-12-26 - 2012-08-29 - H01L23/29
  • 本实用新型涉及半导体器件,尤其是一种硅塑封稳压二极管。一种硅塑封稳压二极管,包括二极管本体和封装外壳,所述的二极管本体位于塑封外壳内,二极管本体包括底座、单晶片、铝合金小球,底座上涂有金锑合金层,金锑合金层上面粘接有单晶片,单晶片的上端形成有PN结,PN结上连接有铝合金小球,拉合金小球和底座各焊接有一根引出线,所述的封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的紫外光固化油墨层。本实用新型结构简单,封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层,在更换硅塑封稳压二极管时,就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上,从而避免了硅塑封稳压二极管的损坏。
  • 一种塑封稳压二极管
  • [实用新型]一种硅塑封快恢复整流二极管-CN201120549218.4有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-12-26 - 2012-08-29 - H01L29/861
  • 本实用新型涉及半导体器件,尤其是一种硅塑封快恢复整流二极管,包括二极管本体、引脚和塑封外壳,二极管本体位于塑封外壳内,二极管本体由P型半导体层、N型半导体层、及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层组成,P型半导体层和N型半导体层各焊接有一根引脚,引脚位于塑封外壳外,塑封外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的紫外光固化油墨层。本实用新型结构简单,二极管本体在塑封外壳内确保其电气特性不受影响,塑封外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层,在更换硅塑封快恢复整流二极管时,就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上,从而避免了硅塑封快恢复整流二极管击穿损坏。
  • 一种塑封恢复整流二极管
  • [实用新型]一种硅塑封双向稳压二极管-CN201120549577.X有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-12-26 - 2012-08-29 - H01L23/29
  • 本实用新型涉及半导体器件,尤其是一种硅塑封双向稳压二极管。一种硅塑封双向稳压二极管,具有两只二极管本体,还包括引脚和封装外壳,所述的两只二极管本体位于封装外壳内,二极管本体包括一个正端和一个负端,两只二极管本体的负端对负端相连接,两只二极管本体的正端各焊接有一根引脚,所述的引脚位于封装外壳外,封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体的工作参数的紫外光固化油墨层。本实用新型结构简单,二极管本体在封装外壳内确保其电气特性不受影响,封装外壳上涂覆的一层涂层可以清楚显示出二极管本体工作参数。
  • 一种塑封双向稳压二极管
  • [实用新型]一种硅塑封快恢复二极管-CN201120549219.9有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-12-26 - 2012-08-29 - H01L23/29
  • 本实用新型涉及半导体器件,尤其是一种硅塑封快恢复二极管,具有两只二极管本体,还包括引脚和封装外壳,两只二极管本体位于封装外壳内,二极管本体包括一个PN结、一个正极端子和一个负极端子,两只二极管本体的负极端子相连接,在两只二极管本体的负极端子的连接点处焊接有一根引脚,两只二极管本体的正极端子也各焊接有一根引脚,引脚位于封装外壳外,封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体的工作参数的紫外光固化油墨层。本实用新型结构简单,封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层,在更换硅塑封快恢复二极管时,就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上,从而避免了硅塑封快恢复二极管击穿损坏。
  • 一种塑封恢复二极管
  • [实用新型]一种快恢复二极管-CN201120549568.0有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-12-26 - 2012-08-29 - H01L23/29
  • 本实用新型涉及半导体器件,尤其是一种快恢复二极管,包括两只二极管本体、引脚和封装外壳,两只二极管本体位于封装外壳内,二极管本体包括一个PN结、一个正极端子和一个负极端子,两只二极管本体的正极端子相连接,在两只二极管本体的正极端子的连接点处焊接有一根引脚,两只二极管本体的负极端子也各焊接有一根引脚,引脚位于封装外壳外,封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体的工作参数的紫外光固化油墨层。本实用新型结构简单,封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层,在更换快恢复二极管时,就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上,从而避免了快恢复二极管击穿损坏。
  • 一种恢复二极管
  • [实用新型]一种硅塑封双向触发二极管-CN201120549217.X有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-12-26 - 2012-08-29 - H01L29/06
  • 本实用新型涉及半导体器件,尤其是一种硅塑封双向触发二极管。一种硅塑封双向触发二极管,包括二极管本体、引脚和封装外壳,所述的二极管本体由N2-P1-N1-P1-N2五层、四个PN结串联所构成,两个N2区对外各焊接有一根引脚,所述的引脚位于封装外壳外,封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的紫外光固化油墨层。本实用新型采用五层、四结结构,达到双向导通的目的,结构新颖,二极管本体在封装外壳内确保其电气特性不受影响,封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层,在更换硅塑封双向触发二极管时,就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上,从而避免了硅塑封双向触发二极管的损坏。
  • 一种塑封双向触发二极管
  • [实用新型]一种硅塑封整流二极管-CN201120379092.0有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-05-30 - H01L23/29
  • 本实用新型涉及一种硅塑封整流二极管,包括二极管主体,二极管主体包括一个PN结、一个正极端子和一个负极端子,PN结、正极端子和负极端子位于同一块硅基片上,正极端子和负极端子分布在硅基片的两端,正极端子和负极端子各焊接有一根引出线,硅基片、与正极端子和负极端子焊接的引出线部分塑封在环氧树脂管内,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管主体工作参数的涂层。本实用新型结构简单,二极管主体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管主体工作参数的涂层,在更换新硅塑封整流二极管时,就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上,从而避免了硅塑封整流二极管击穿损坏。
  • 一种塑封整流二极管
  • [实用新型]一种硅双向触发二极管-CN201120376984.5有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-05-30 - H01L29/861
  • 本实用新型涉及一种半导体器件,尤其是一种硅双向触发二极管。一种硅双向触发二极管,包括二极管本体,所述的二极管本体由N-P-N三层半导体材料制成,具有对称性的二端,对称性的二端对外引出两个电极,所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层。本实用新型结构简单,二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层,方便正确使用。
  • 一种双向触发二极管
  • [实用新型]一种中频变压器-CN201120376944.0有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-05-30 - H01F19/00
  • 本实用新型涉及一种变压器,尤其是一种中频变压器。一种中频变压器,具有一尼龙支架,尼龙支架上安置有引脚架,引脚架上面有一磁芯,磁芯上绕有初级线圈和次级线圈,在绕了初级线圈和次级线圈的磁芯外罩有磁帽,磁帽上具有能在尼龙支架上旋转的螺纹,所述的尼龙支架位于金属屏蔽罩内,所述的金属屏蔽罩的上端面上开设有可以调节磁帽和磁芯之间间隙的调节孔,金属屏蔽罩的下面露出有引脚架上的引出脚。本实用新型结构简便,可以很好地用来对中频信号进行选频和进行中放的前后级耦合。
  • 一种中频变压器
  • [实用新型]一种硅塑封贴片二极管-CN201120382676.3有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-05-30 - H01L29/861
  • 本实用新型涉及一种半导体器件,尤其是一种硅塑封贴片二极管。一种硅塑封贴片二极管,包括二极管本体和封装外壳,所述的二极管本体包括位于封装外壳内的陶瓷基片、背面电极、面部电极、芯片、上层电极和端电极,所述的陶瓷基片的背面与正面分别印刷有背面电极和面部电极,面部电极上黏贴有芯片,芯片顶端凸点上方位置为上层电极,上层电极上覆盖有绝缘保护胶,陶瓷基片两侧设有折裂成条状的位于封装外壳外的端电极,端电极具有折断成粒状的末端。本实用新型体积小、重量轻,组装密度高,无引线,电性能稳定,可靠性高,有利于高频化、高速化,且能与自动装贴设备相匹配。
  • 一种塑封二极管
  • [实用新型]一种肖特基二极管-CN201120371153.9有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-05-30 - H01L23/29
  • 本实用新型涉及一种半导体器件,尤其是一种肖特基二极管。一种肖特基二极管,包括二极管本体,所述的二极管本体以N型半导体为基片,在基片上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层,N-外延层上面有与其接触的阳极金属,阳极金属的边缘区域设置有二氧化硅层,在基片下边形成有N+阴极层,N+阴极层下面有与其接触的阴极金属,阳极金属和阴极金属对外各引出一个电极,所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层。本实用新型结构简单,二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层,方便正确使用。
  • 一种肖特基二极管
  • [实用新型]一种转折二极管-CN201120372104.7有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-05-30 - H01L29/861
  • 本实用新型涉及一种半导体器件,尤其是一种转折二极管。一种转折二极管,包括二极管本体,所述的二极管本体由P-N-P-N四层半导体材料、三个PN结串联构成,左端的P区称为阳极区,右端的N区称为阴极区,中间的N区和P区称为基区,阳极区和阴极区对外各焊接有一根引出线,所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层。本实用新型结构简单,二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层,方便正确使用。
  • 一种转折二极管
  • [实用新型]一种行推动变压器-CN201120376966.7有效
  • 孔明 - 常州福达电子有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-05-30 - H01F19/08
  • 本实用新型涉及一种脉冲变压器,尤其是一种行推动变压器。一种行推动变压器,包括“E”形磁心骨架、初级绕组、次级绕组和引脚座,所述的“E”形磁心骨架安置于引脚座之上,初级绕组和次级绕组先后绕于“E”形磁心骨架上。本实用新型结构简单,制作简便,可有效防止后级行输出电路异常后烧毁前级低压信号部分。
  • 一种推动变压器

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