[实用新型]离子注入电弧反应室有效

专利信息
申请号: 201120468276.4 申请日: 2011-11-21
公开(公告)号: CN202332780U 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 许鹖 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/16
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种离子注入电弧反应室,该种离子注入电弧反应室包括底座和置于底座上的上盖,所述上盖和底座的内表面上均匀分布有多个突起,所述突起表面呈波纹状,所述突起的高度为1mm-2mm,所述电弧反应室表面由钨材料制成。本实用新型在离子注入电弧反应室的上盖和底座内表面上设突起,突起表面呈波纹状,这种结构使得离子注入时附着物首先聚集在突起表面波谷的位置,再是波峰的位置,附着物不容易脱落,从而使得新更换的电弧反应室在使用的时候,附着物不易脱落,减少电弧反应室的短路,以及延长电弧反应室的维护周期。
搜索关键词: 离子 注入 电弧 反应
【主权项】:
一种离子注入电弧反应室,包括底座和置于底座上的上盖,其特征在于:所述上盖和底座的内表面均匀分布有多个突起,所述突起表面呈波纹状。
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