[实用新型]离子注入电弧反应室有效
申请号: | 201120468276.4 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN202332780U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 许鹖 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/16 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 电弧 反应 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,特别涉及一种离子注入电弧反应室。
背景技术
离子注入设备中离子发生源(source)的使用寿命对整个设备的维护周期(PM cycle)有至关重要的影响。离子发生源通过灯丝(filament)与电极(cathode)在电弧反应室(Arc chamber)发生电子碰撞,而产生带正电荷的离子。电弧反应室中密集的离子长时间碰撞会在整个电弧反应室内产生严重的附着物(coating)。新更换的电弧反应室在开始使用的时候,由于电弧反应室表面光滑,形成的附着物不容易依附在电弧反应室表面,从而会造成附着物脱落。
在正常工作情况下,灯丝、电极与电弧反应室之间是相互绝缘的,而脱落的附着物容易落在电极上面,由于电极与电弧反应室之间只有1mm-2mm的空隙,脱落的附着物很容易进入到该空隙中,造成电极与电弧反应室的短路现象,解决短路的唯一办法是进行离子发生源维护。
为了尽可能避免附着物脱落以减少离子发生源的维护次数,现有技术中通常在每次进行更换电弧反应室的时候会对其表面进行刮蹭,尽可能使其表面粗糙。但是由于电弧反应室表面是由钨材料制成的,对其表面进行处理以增加粗糙度的效果不很明显。另一种解决方案是准备更多已经组装完毕的电弧反应室,如果发生短路的情况,则及时进行更换。但是这样一来造成电弧反应室利用时间减少,费用增加,同时浪费人力物力。还有一种解决方案是更换电弧反应室的材质,使用石墨代替钨制作离子注入电弧反应室。但是这样的弊端在于石墨电弧反应室容易产生颗粒物(particle),同时石墨电弧反应室使用寿命比钨材料制作的电弧反应室要短,严重影响了维护周期。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种离子注入电弧反应室,以减少离子注入电弧反应室短路现象,延长维护周期,减少离子发生源的维护次数。
本实用新型的技术解决方案是一种离子注入电弧反应室,包括底座和置于底座上的上盖,所述上盖和底座的内表面设有突起,所述突起表面呈波纹状。
作为优选:所述突起的高度为1mm-2mm。
作为优选:所述突起呈条状。
作为优选:所述突起相互平行排列。
作为优选:电弧反应室表面由钨材料制成。
与现有技术相比,本实用新型在离子注入电弧反应室的上盖和底座内表面上均匀分布有多个突起,突起表面呈波纹状,这种结构使得电弧反应室的附着物首先聚集在突起表面波谷的位置,再是波峰的位置,附着物不容易脱落,从而使得新更换的电弧反应室在使用的时候,能够有效黏附附着物,大大减少因附着物脱落造成的短路现象,从而延长维护周期,减少离子发生源的维护次数,增设的突起不影响正常电离且制造成本低。
附图说明
图1是本实用新型离子注入电弧反应室的结构示意图。
图2是本实用新型离子注入电弧反应室中突起的剖面图。
具体实施方式
本实用新型下面将结合附图作进一步详述:
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
其次,本发明利用示意图进行详细描述,在详述本发明实施例时,为便于说明,表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是实例,其在此不应限制本发明保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
图1示出了本实用新型的离子注入电弧反应室的结构示意图。
请参阅图1所示,在本实施例中,离子注入电弧反应室,包括底座2和置于底座上的上盖1,对现有的离子注入电弧反应室的灯丝、电极都不做改变,只是在所述电弧反应室的上盖1和底座2的内表面均匀设置多个突起3,即离子注入电弧反应室的6个内表面都设有突起,所述突起3表面呈波纹状,如图2所示,所述突起3的波纹状表面具有波谷31和波峰32。
根据本实用新型一较佳实施例,所述突起3呈条状,且各个突起3之间相互平行排列,所述突起3的高度可以为1mm-2mm。
所述电弧反应室的底座2和上盖1由钨材料制成,电弧反应室使用后进行维护时,只需对电弧反应室的底座2和上盖1内表面进行打沙去除表面的附着物,就能继续下次使用,且不妨碍正常离子的电离效果。
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