[实用新型]紫蓝硅光电二极管有效
| 申请号： | 201120448164.2 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN202395007U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 樊文红 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及紫蓝硅光电二极管，目的提供一种工作在430nm-1100nm光谱，暗电流小，光电转换效率高的紫蓝硅光电二极管。紫蓝硅光电二极管，在高电阻率的N型区熔单晶片的正面周边设有环状N型Si层，环状N型Si层内侧设有P型Si层，在环状N型Si层和 P型Si层之间隔着环形高阻硅层，在P型Si层表面设有氮化硅膜，环形高阻硅层表面设有二氧化硅膜，P型Si层上有小部分氮化硅膜被光刻、腐蚀掉，形成P型Si层裸露区，在P型Si层裸露区表面贴附有金属AL作为阳极，硅片的背面积淀金属Cr或Au膜阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 紫蓝 光电二极管 | ||
【主权项】：
紫蓝硅光电二极管，其特征是，在高电阻率的N型区熔单晶片的正面周边设有环状N型Si层，环状N型Si层内侧设有P型Si层，在环状N型Si层和 P型Si层之间隔着环形高阻硅层，在P型Si层表面设有氮化硅膜，环形高阻硅层表面设有二氧化硅膜，P型Si层上有小部分氮化硅膜被光刻、腐蚀掉，形成P型Si层裸露区，在P型Si层裸露区表面贴附有金属AL作为阳极, 硅片的背面积淀金属Cr或Au膜阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
