[实用新型]一种沟槽栅结型场效应晶体管有效
| 申请号： | 201120409928.7 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN202332859U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李铁生;奥格涅·米力克;张磊 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/08;H01L29/808 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种沟槽栅结型场效应晶体管(JFET)，该沟槽栅JFET包括：衬底，具有第一掺杂类型；外延层，位于衬底上方，具有第一掺杂类型；至少两个沟槽，位于外延层中；源极区，具有第一掺杂类型，位于外延层上方并在相邻沟槽顶部之间延伸；以及源极金属层，位于该源极区的上方。该沟槽栅JFET还包括：多晶硅栅极区，位于沟槽底部，具有第二掺杂类型；层间介电层，位于沟槽中多晶硅栅极区的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 栅结型 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
沟槽栅结型场效应晶体管，其特征在于包括：衬底，具有第一掺杂类型；外延层，位于衬底上方，具有第一掺杂类型；至少两个沟槽，位于外延层中；多晶硅栅极区，位于沟槽底部，具有第二掺杂类型；层间介电层，位于沟槽中多晶硅栅极区的上方；源极区，具有第一掺杂类型，位于外延层上方并在相邻沟槽顶部之间延伸；以及源极金属层，位于该源极区的上方。
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