[实用新型]薄膜太阳能电池沉积生产设备有效
申请号: | 201120346696.5 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN202246859U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 胡兵 | 申请(专利权)人: | 理想能源设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/24;H01L31/18 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种薄膜太阳能电池沉积生产设备,包含传输腔、P型第一沉积腔和第二沉积腔,传输腔设置有加热装置,用于加热基板。不同的沉积腔中沉积不同类型的硅薄膜,P型硅薄膜沉积过程中残留在沉积腔中的掺杂气体不会影响I型硅薄膜沉积,从而提高薄膜太阳能的光电转换效率,传输腔中设置加热装置,用于加热基板,可以保持完成P型硅薄膜沉积的基板处于较高的温度,促进附着在基板上的掺杂气体残留挥发,进一步降低沉积P型硅薄膜沉积过程中的掺杂气体残留对I型硅薄膜沉积的影响;腔体采用叠层设置,提高了处理效率,沉积腔共用气体源和清洁源,降低了设备的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 沉积 生产 设备 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池沉积生产设备,其特征在于,该设备包含:传输腔(21),用于在真空环境中传输基板;P型第一沉积腔(24),其连接所述的传输腔(21),用于在基板上沉积P型硅薄膜;第二沉积腔,其连接所述的传输腔(21),用于沉积I型硅薄膜和N型硅薄膜;所述的传输腔(21)设置有加热装置,用于加热基板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的