[实用新型]贴片二极管的改良结构有效

专利信息
申请号: 201120341322.4 申请日: 2011-09-13
公开(公告)号: CN202205759U 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 张国俊;徐仁庆 申请(专利权)人: 康可电子(无锡)有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L23/488
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陈忠辉
地址: 214142 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型揭示了一种贴片二极管的改良结构,其为由两个晶片相对叠合而成,且每个晶片各具有支撑自身的铜质框架,其中该铜质框架在晶片叠合的端部具有沉降区,沉降区背向沉降方向设有凸台,并且铜质框架在沉降区弯折处设有穿孔。其特别改良之处为将该凸台的厚度薄至0.06mm,且穿孔与沉降区底面不相干涉。实施本实用新型的技术方案并将其投入生产工艺后,两晶粒片焊接后锡珠的不良比例由改善前的10%下降至0.5%,而经产品成型后料片露铜不良的状况也由改善前的1.3%降低至0,显然大幅提升了成品良率,并且降低了用户的使用风险。
搜索关键词: 二极管 改良 结构
【主权项】:
贴片二极管的改良结构,所述贴片二极管为由两个晶片相对叠合而成,且每个晶片各具有支撑自身的铜质框架,所述铜质框架在晶片叠合的端部具有沉降区,所述沉降区背向沉降方向设有凸台,并且铜质框架在沉降区弯折处设有穿孔,其特征在于:所述凸台的厚度薄至0.06mm,且所述穿孔与沉降区底面不相干涉。
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