[实用新型]台面工艺可控硅芯片结构有效
| 申请号： | 201120270383.6 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN202167494U | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王成森;黎重林;周榕榕;沈怡东 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO2保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N+型阴极区，其特征在于：所述对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽。本实用新型的优点是：结构和工艺成熟、制造过程简单、制造的芯片击穿电压特性好、合格率较高、且产品可靠性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 工艺 可控硅 芯片 结构 | ||
【主权项】：
台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO2保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N+型阴极区，其特征在于：所述对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽，所述背面应力平衡槽顶部和侧壁设有玻璃膜，所述背面P型区和玻璃钝化膜表面上设有多层金属电极。
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