[实用新型]高真空高功率射频耦合器无效
申请号: | 201120148351.9 | 申请日: | 2011-05-11 |
公开(公告)号: | CN202026520U | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 陆元荣;聂元存;陈佳洱;高淑丽;郭之虞;颜学庆 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H05H7/02 | 分类号: | H05H7/02 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
地址: | 100871 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型是一种高真空高功率射频耦合器,属于粒子加速器微波、高频技术领域。本实用新型包括内环和外环、与内环上端相连接的内导体、与外环上端相连接的接管、布置在内环和外环之间的对内导体起支撑作用的绝缘环、以及磁耦合环。外环和接管之间通过连接在外环端部的外导体法兰和连接在接管端部的活动法兰相连接,磁耦合环采用U型管结构,设置在内导体内并与内导体固定,U型管的两端从内导体的上部延伸出并分别与外导体法兰上的冷却水通道入水口和出水口相连通。本实用新型具有结构简单、使用方便、工作稳定等优点,可以应用到几十至几百MHz的电磁谐振腔体的功率馈送,其馈送功率可达百kW,且可以保证腔体内真空高达10-5Pa。 | ||
搜索关键词: | 真空 功率 射频 耦合器 | ||
【主权项】:
一种高真空高功率射频耦合器,包括同轴安装的内环和外环,高频机与内环和外环的下端相连接,其特征在于,还包括与内环上端相连接的内导体、与外环上端相连接的接管、布置在内环和外环之间的对内导体起支撑作用的绝缘环、以及磁耦合环,所述外环和接管之间通过连接在外环端部的外导体法兰和连接在接管端部的活动法兰相连接,所述磁耦合环采用U型管结构,设置在内导体内并与内导体固定,磁耦合环U型管的两端从内导体的上部延伸出并分别与外导体法兰上的冷却水通道入水口和出水口相连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120148351.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。