“郭之虞”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种中子源-CN201510579269.4在审
发明人：陆元荣;郭之虞;颜学庆;朱昆;高淑丽;贾方健;邹宇斌;王智;陈佳洱 -专利权人：北京大学;陆元荣
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H05H13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种中子源，包括：离子源、低能传输段、RFQ加速器、高能传输段、射频功率源、靶站装置以及控制系统；所述离子源，用于产生离子；所述低能传输段，用于对离子的束流进行调节；所述RFQ加速器，用于对离子的束流进行加速，以使每个离子的能量在0.1-10MeV之间；所述高能传输段，用于对加速后的离子的束流进行调节；所述射频功率源，用于为RFQ加速器提供射频信号；所述靶站装置，用于产生中子并将中子引出；所述控制系统，用于对离子源、低能传输段、RFQ加速器、高能传输段和靶站装置进行控制。本发明能够将单独的RFQ加速器应用到中子源中，体积小、占用空间少，中子产额高、便于生产安装。
一种中子源

[实用新型]功率射频耦合器-CN201120181789.7无效
发明人：陆元荣;陈威;高淑丽;郭之虞;张红辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H05H7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率射频耦合器：转换馈头和耦合环，转换馈头和耦合环钎焊连接。其中，转换馈头包括导体外环、导体内环、过渡环、电极组件、陶瓷管、导体外环法兰、活套法兰和固定法兰；导体内环通过过渡环与电极组件相连接；陶瓷管包括第一端口和第二端口，第一端口与电极组件采用真空氢焊的方式连接，第二端口与导体外环法兰采用真空氢焊的方式连接。本实用新型的同轴线馈头转换部分在保持高真空度的同时，兼具极低射频损耗的特性；并且，本实用新型实现了谐振腔的输入阻抗的快速、方便调节。
功率射频耦合器

[实用新型]高真空高功率射频耦合器-CN201120148351.9无效
发明人：陆元荣;聂元存;陈佳洱;高淑丽;郭之虞;颜学庆 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H05H7/02 文献下载
摘要：本实用新型是一种高真空高功率射频耦合器，属于粒子加速器微波、高频技术领域。本实用新型包括内环和外环、与内环上端相连接的内导体、与外环上端相连接的接管、布置在内环和外环之间的对内导体起支撑作用的绝缘环、以及磁耦合环。外环和接管之间通过连接在外环端部的外导体法兰和连接在接管端部的活动法兰相连接，磁耦合环采用U型管结构，设置在内导体内并与内导体固定，U型管的两端从内导体的上部延伸出并分别与外导体法兰上的冷却水通道入水口和出水口相连通。本实用新型具有结构简单、使用方便、工作稳定等优点，可以应用到几十至几百MHz的电磁谐振腔体的功率馈送，其馈送功率可达百kW，且可以保证腔体内真空高达10-5Pa。
真空功率射频耦合器

[发明专利]一种电子回旋共振离子源-CN201110026605.4无效
发明人：彭士香;袁忠喜;任海涛;吕鹏南;郭之虞 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子回旋共振离子源，尤其是一种能直接观察离子源内放电过程的新型结构全永磁强流电子回旋共振(ECR)离子源。本发明采用了透光性高的石英玻璃来做放电室；石英玻璃造成的微波泄露可通过石英玻璃外部的带有窗口的特殊结构金属壳体来屏蔽；电子回旋需要的磁场用多个分离的永磁环来产生，环与环之间有多个空隙。这样，穿过屏蔽壳体的窗口、永磁环间空隙、透光的石英玻璃，可以从多个角度、多个位置无干扰地实时观察放电室内所发生的所有过程和等离子体的各种形态，可以无干扰地开展等离子体光谱学诊断研究工作。
一种电子回旋共振离子源

[发明专利]一种采用无窗气体靶的小型中子源-CN201010238639.5无效
发明人：朱昆;黄胜;陆元荣;邹宇斌;郭之虞;彭士香 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G21G4/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用无窗气体靶的小型中子源，属于核技术及应用领域。本发明采用ECR离子源产生氘离子，直接通过高压引出电极引出，轰击用等离子体密封的无窗气体靶，由于无窗氘气体靶是采用等离子体密封的，因此它允许承受很高的流强的束流，同时由于氘离子穿过等离子体窗时的能损很小，因此中子产额较高。与中子管相比，本发明提出的中子源允许的束流强度高，中子产额高。与加速器中子源相比，加速器中子源体积大，系统复杂，造价高，本发明提出的中子源体积小，系统简单，造价低。与离子源直接进行氘氚反应产生中子的中子源相比，该离子源系统简单，造价低，没有氚的放射性处理以及循环问题。本发明具有非常广阔的应用前景。
一种采用气体小型中子源

[发明专利]一种组合加速结构-CN200910238363.8无效
发明人：王智;陈佳洱;陆元荣;郭之虞 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H05H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种组合加速结构，属于核科学及核技术领域。本发明结构包括射频四极场部分和分离作用射频四极场部分，所述射频四极场和分离作用射频四极场在同一谐振腔内直接连接，且中心轴线同轴。所述射频四极场和分离作用射频四极场采用相同的支撑方式。本发明不仅可以省去另一套高功率发射机及相关的高频控制系统，总的高频功率大大小于两台发射机的功率之和，还省去了大功率的电磁透镜等匹配元件，减少了加速器的整体尺寸和造价；更因避免了束流纵向与横向匹配之间的失衡而提高了束流总体输运效率。
一种组合加速结构

[发明专利]一种加速器质谱装置及加速器质谱¹⁴C测量方法-CN200510086258.9无效
发明人：陈佳洱;郭之虞;刘克新;方家驯;谢谊;颜学庆 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于低能散RFQ加速器的加速器质谱装置及相应的加速器质谱技术领域。该加速器质谱装置包括：离子源、聚束器、RFQ加速器、电子剥离器、高能分析系统以及探测器，上述部件按顺序联接，RFQ加速器分别将¹⁴C、电子剥离，可消除分子离子干扰。本发明用低能散的RFQ加速结构作为¹⁴C测量加速器质谱(AMS)系统中的离子加速装置，通过交替改变馈入RFQ加速器的射频功率实现¹⁴C、要传统AMS中的钢筒、绝缘气体、交替注入系统等，整体结构简化。
一种加速器装置 sup 14 测量方法

[发明专利]射频四极场加速器的调制方法-CN200510012217.5无效
发明人：颜学庆;陈佳洱;方家驯;郭之虞 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-07-18 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H05H7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频四极场(RFQ)加速器的调制方法，属于射频四极场(RFQ)加速器动力学设计领域。该方法包括：束流进入RFQ加速器径向匹配段之后，以成形段处束流的参数为设计起点，加速器在成形段、微聚束段和加速段的孔径a、调制m和相位Fai变化要满足匹配条件R²=ε_mλ/sigmat以保持束团的大小不变。本方法在确定频率、注入、引出能量、束流入口发射度和流强等基本参数之后，根据束团大小与加速器单元参数之间满足匹配条件，直接计算RFQ加速器动力学参数，可避免传统的“四部曲方法”繁琐修改局部单元参数的缺点。
射频四极场加速器调制方法

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top