[实用新型]低正向导通压降的肖特基二极管有效
| 申请号： | 201120064944.7 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN202058741U | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 童钧彦;王凯莹;吕佳玲;吴国贤;陈坤贤 | 申请（专利权）人： | 璟茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种低正向导通压降的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一第一表面，并形成一凹入第一表面的护环，护环内为一P型掺杂区；又N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层，该金属层与N-型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒；本实用新型使该肖特基势垒的高度低于N-型掺杂漂移层的表面，藉此缩小肖特基势垒下方的N-型掺杂漂移层厚度，以进一步降低肖特基二极管的正向导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 向导 通压降 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种低正向导通压降的肖特基二极管，其特征在于，包括：一N+型掺杂层；一N‑型掺杂漂移层，形成在所述N+型掺杂层上，该N‑型掺杂漂移层具有一第一表面，并形成一凹入第一表面的护环，该护环内为一P型掺杂区；一氧化层，是形成在所述N‑型掺杂漂移层上；一金属层，是形成于所述氧化层及N‑型掺杂漂移层上，该金属层与N‑型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒，该肖特基势垒是位于N‑型掺杂漂移层的第一表面以下。
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