[实用新型]低正向导通压降的肖特基二极管有效
| 申请号： | 201120064944.7 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN202058741U | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 童钧彦;王凯莹;吕佳玲;吴国贤;陈坤贤 | 申请（专利权）人： | 璟茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 向导 通压降 肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种低正向导通压降的肖特基二极管，其特征在于，包括：
一N+型掺杂层；
一N-型掺杂漂移层，形成在所述N+型掺杂层上，该N-型掺杂漂移层具有一第一表面，并形成一凹入第一表面的护环，该护环内为一P型掺杂区；
一氧化层，是形成在所述N-型掺杂漂移层上；
一金属层，是形成于所述氧化层及N-型掺杂漂移层上，该金属层与N-型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒，该肖特基势垒是位于N-型掺杂漂移层的第一表面以下。
2.根据权利要求1所述低正向导通压降的肖特基二极管，其特征在于，该N-型掺杂漂移层在护环内侧形成一低于第一表面的第二表面，且第二表面不包括P型掺杂区。
3.根据权利要求1所述低正向导通压降的肖特基二极管，其特征在于，该N-型掺杂漂移层在护环内侧形成一低于第一表面的第二表面，且第二表面(202)包括P型掺杂区的局部。
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