[实用新型]低正向导通压降的肖特基二极管

说明书

技术领域

本实用新型是关于一种肖特基二极管，尤指一种低正向导通压降的肖特基二极管。 

背景技术

如图6所示，是既有肖特基二极管的构造剖面图，主要是在一N+型掺杂层80上形成有一N-型掺杂漂移层81，该N-型掺杂漂移层81上形成一凹入的护环82，并于护环82内形成一P型掺杂区；又N-型掺杂漂移层81表面进一步形成一氧化层83及一金属层84，该金属层84与N-型掺杂漂移层81、P型掺杂区接触的部位是构成一肖特基势垒85；再者，前述N+型掺杂层80的底面形成有一金属层，以构成一底面电极86。 

在前述构造中，由于N-型掺杂漂移层81中的自由电子能阶较金属层84中的自由电子能阶低，在没有偏压的情况下，N-型掺杂漂移层81的电子无法通过肖特基势垒85跃迁至高能阶的金属层84中，当施加顺向偏压时，N-型掺杂漂移层81中的自由电子获得能量而可跃迁到高能阶的金属层84以产生电流，由于金属层84中没有少数的载子，无法储存电荷，因此逆向恢复的时间很短；由上述可知肖特基二极管是利用金属与半导体结作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体/半导体结产生的PN结不同，而利用肖特基势垒的特性使得肖特基二极管具有较低的导通电压降(一般PN结二极管的电压降为0.7～1.7伏特，肖特基二极管的电压降则为0.15～0.45伏特)，并可提高切换的速度。 

又请参考图7所示，是肖特基二极管的IV特性曲线图，其揭示有正向导通电压与逆向崩溃电压分和电流的关系，由特性曲线可以看出：当电流I愈高，正向导通电压V也会跟提高，而正向导通电压提高势必影响肖特基二极管的特性及其应用。而根据实验结果，肖特基二极管的正向导通电压与其肖特基势垒85下方的N-型掺杂漂移层81厚度D存在一正比关系，N-型掺杂漂移层81厚度D 愈大，正向导通电压愈大，反之，N-型掺杂漂移层81厚度D小，则正向导通电压将相对降低。 

发明内容

因此本实用新型主要目的在于提供一低正向导通压降的肖特基二极管，其通过改变肖特基二极管的结构，可降低肖特基二极管的正向导通压降，且不会改变逆向崩溃电压。 

为达成前述目的采取的主要技术手段是使前述肖特基二极管包括： 

一N+型掺杂层； 

一N-型掺杂漂移层，形成在前述N+型掺杂层上，该N-型掺杂漂移层具有一第一表面，并形成一凹入第一表面的护环，护环内为一P型掺杂区； 

一氧化层，是形成在前述N-型掺杂漂移层上； 

一金属层，是形成于前述氧化层及N-型掺杂漂移层上，该金属层与N-型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒，该肖特基势垒是位于N-型掺杂漂移层的第一表面以下。

实施时，该N-型掺杂漂移层在护环内侧形成一低于第一表面的第二表面，第二表面不包括P型掺杂区。 

实施时，该N-型掺杂漂移层在护环内侧形成一低于第一表面的第二表面，且第二表面202包括P型掺杂区的局部。 

与现有技术相比，本实用新型利用前述构造的肖特基二极管的肖特基势垒高度低于N-型掺杂漂移层的第一表面，藉此缩小肖特基势垒下方的N-型掺杂漂移层厚度，从而可降低肖特基二极管的正向导通压降。 

附图说明

图1是本实用新型第一较佳实施例的结构示意图。 

图2是本实用新型第一较佳实施例的局部结构示意图。 

图3是本实用新型第二较佳实施例的局部结构示意图。 

图4是既有肖特基二极管的一结构示意图。 

图5是本实用新型的特性曲线图。 

图6是既有肖特基二极管又一结构示意图。 

图7是既有肖特基二极管的特性曲线图。 

具体实施方式

以下配合图式及本实用新型的较佳实施例，进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段。 

关于本实用新型的第一较佳实施例，请参考图1所示，主要是在一N+型掺杂层10上形成有一N-型掺杂漂移层20，该N-型掺杂漂移层20具有一第一表面201，且形成有一凹入于第一表面201的护环21，该护环21内为一P型掺杂区；又N-型掺杂漂移层20的第一表面201进一步形成有一氧化层30，氧化层30部分地覆盖且接触护环21内的P型掺杂区；再者，N-型掺杂漂移层20及氧化层30上进一步形成一金属层40，该金属层40与N-型掺杂漂移层20、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒41；