[实用新型]PECVD沉积腔体吹扫系统有效
申请号: | 201120031726.3 | 申请日: | 2011-01-29 |
公开(公告)号: | CN201962354U | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 高星 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及PECVD镀膜设备技术领域,特别是一种PECVD沉积腔体吹扫系统。它包括质量流量控制器以及质量流量控制器两端的管路,在质量流量控制器旁设置导气旁路,在质量流量控制器进气端的管路与导气旁路的交汇处加装保护质量流量控制器的气体控制阀门。现有吹扫系统每次出现掉片只能开腔体解决,严重影响产能,本吹扫系统因为有保护阀门保护质量流量控制器,使N2能以更大的速度和压力通过导气旁路到达特气孔,吹扫掉堵在特气孔上的掉片实现不开腔体解决掉片问题,大大提升机台正常运行时间。 | ||
搜索关键词: | pecvd 沉积 腔体吹扫 系统 | ||
【主权项】:
一种PECVD沉积腔体吹扫系统,包括质量流量控制器(1)以及质量流量控制器(1)两端的管路,其特征是:在所述的质量流量控制器(1)旁设置导气旁路(3),在质量流量控制器进气端的管路与导气旁路(3)的交汇处加装保护质量流量控制器的气体控制阀门(2)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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