[发明专利]一个晶体管的智能写入有效
申请号: | 201110462564.3 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103035295B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 范卡特拉曼·普拉哈卡;斐德列克·杰能 | 申请(专利权)人: | 经度快闪存储解决方案有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/16 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一个晶体管的智能写入。逐列(逐个单元)地选择性地增加字线上特定非易失性存储单元的阈值电压。在某些单元上执行选择性编程,同时在其他单元上执行编程禁止,这使得全部单元具有在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。 | ||
搜索关键词: | 一个 晶体管 智能 写入 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:通过在单元的第一子集上执行选择性软编程,同时在所述单元的第二子集上执行编程禁止,逐个单元地选择性地增加同一字线上多个非易失性存储单元中的特定存储单元的阈值电压;以及重复所述选择性软编程,直到全部所述单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。
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