[发明专利]一个晶体管的智能写入

权利要求书

1.一种调整存储单元的阈值电压分布的方法，所述方法包括：

通过在多个单元的第一子集单元上执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上多个非易失性存储单元中的特定存储单元的阈值电压；

从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据；以及

重复所述选择性软编程和所述读回，直到全部所述第一子集单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。

2.如权利要求1所述的调整存储单元的阈值电压分布的方法，进一步包括：

逐步增加存储单元的所述第一子集单元的选择性软编程的重复之间的软编程脉冲间隔。

3.如权利要求1所述的调整存储单元的阈值电压分布的方法，进一步包括：

重复擦除所述字线中的单元，直到每一个单元具有低于所述目标阈值电压的阈值电压，或者直到已经应用了最大数量的擦除。

4.如权利要求1所述的调整存储单元的阈值电压分布的方法，进一步包括：

在对所述第一子集单元进行软编程之后，从具有设定为比目标阈值电压更负的值的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据。

5.如权利要求1所述的调整存储单元的阈值电压分布的方法，进一步包括：

逐步增加存储单元的所述第一子集单元的所述选择性软编程的重复之间的软编程脉冲电压电平。

6.一种非易失性机器存储电路，包括：

多个存储单元；以及

逻辑，用以：

通过在多个单元的第一子集单元上执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加字线上所述多个单元的所述第一子集单元的阈值电压；

从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据；以及

在所述多个单元的所述第一子集单元上重复所述选择性软编程和所述读回，直到所述字线上全部所述第一子集单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。

7.如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括改变所述多个单元的所述第一子集单元的所述软编程的重复之间的软编程脉冲间隔的逻辑。

8.如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括在大块擦除字线上的所述多个单元之后，从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据的逻辑。

9.如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括重复擦除所述字线中的单元，直到每一个单元具有低于所述目标阈值电压的阈值电压，或者直到已经应用了最大数量的擦除的逻辑。

10.如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括在对所述第一子集单元进行软编程之后，从具有设定为比目标阈值电压更负的值的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据的逻辑。

11.如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括改变所述多个单元的所述第一子集单元的所述软编程的重复之间的软编程脉冲电压电平的逻辑。

12.一种调整存储单元的阈值电压分布的方法，所述方法包括：

通过在多个单元的第一子集单元上重复执行选择性软编程，同时在同一字线上的所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上的特定非易失性存储单元的阈值电压；

从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据；

改变所述多个单元的所述第一子集单元的所述软编程的重复之间的软编程电压电平和软编程间隔中的一个或两个；以及

重复所述选择性软编程和所述读回，直到全部所述第一子集单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。