[发明专利]一个晶体管的智能写入

说明书

公开了一个晶体管的智能写入。逐列(逐个单元)地选择性地增加字线上特定非易失性存储单元的阈值电压。在某些单元上执行选择性编程，同时在其他单元上执行编程禁止，这使得全部单元具有在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。

技术领域

本发明涉及用于一个晶体管器件(“1T SONOS”)的智能写入。

背景技术

由于使用了额外的选择晶体管，所以双晶体管的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储(memory)器件(“2T SONOS”)能够忍受单个存储单元的擦除阈值电压(Vt)分布中的较大变化。在这类器件中，没必要由列基础(basis)来调整列上的擦除阈值电压。但是，擦除阈值电压分布没有紧密到足以使一个晶体管(“1T SONOS”)器件具有功能。由于给定存储行内SONOS器件特性的大的变化，现有技术并不能显著地将扇区内擦除阈值电压的分布变紧密。对于许多先进技术(130nm及以下)来说，随机掺杂波动是Vt变化的重要来源。对于这些技术来说，WL内的Vt分布自然是非常宽的——事实上几乎可以和整个芯片内的Vt分布一样宽。

发明内容

本发明的一个实施例公开了一种处理，包括：通过在单元的第一子集上执行选择性软编程(soft program)，同时在该单元的第二子集上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上多个非易失性存储单元中特定存储单元的阈值电压；以及重复该选择性软编程，直到全部单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。

本发明的另一实施例公开了一种非易失性机器存储电路，包括：多个存储单元；以及逻辑，用以：通过在单元的第一子集上执行选择性软编程，同时在该单元的第二子集上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加字线上的单元的第一子集的阈值电压；在该单元的第一子集上重复选择性软编程，直到字线上的全部单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。

本发明的又一实施例公开了一种方法，包括：通过在单元的第一子集上重复执行选择性软编程，同时在同一字线上单元的第二子集上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上的特定非易失性存储单元的阈值电压；改变单元的第一子集的软编程的重复之间的软编程电压电平和软编程间隔中的一个或两个；以及重复该选择性软编程，直到全部单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。

附图说明

附图中，为了易于理解和便利，相同的附图标记和缩写标识具有相同或相似功能的元件或动作。为了易于识别任何特定元件或动作的详述，附图标记中的最高有效位或数位指代首次引入该元件的图号。

图1例示了单晶体管SONOS存储单元阵列的实施例。

图2例示了一种情况，其中大块擦除操作之后，SONOS晶体管的擦除阈值具有扩展到比-1.2V更负的禁带(forbidden region)的固有阈值电压分布。

图3例示了应用已擦除单元阈值调整处理之后的同一单元。

图4和5例示了已选和未选字线(WL)的单个单元电流与SONOS阈值电压相比的示例。

图6和7例示了沿着WL的单元阈值分布调整的示例性处理和电路。

图8和9例示了存储阵列中SONOS晶体管的阈值电压调整处理的实施例。

图10和11例示了存储阵列中SONOS晶体管的阈值电压调整处理的第三实施例。

图12例示了根据在此描述实施例的阈值电压调整处理的示例性脉冲序列。

图13例示了含有机器存储系统实施例的机器的示例。

具体实施方式

序言