[发明专利]包含碱活性组分的组合物及光刻工艺有效

专利信息
申请号: 201110462163.8 申请日: 2011-11-15
公开(公告)号: CN102540703A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: D·王;刘骢;李明琦;吴俊锡;C-B·徐;D·H·康;C·H·库明斯;M·S·奥伯 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/20;G03F7/004
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 包含碱活性组分的组合物及光刻工艺。一种加工光致抗蚀剂组合物的方法,所述方法包含:a)在基材上施加光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物包含:(i)一种或多种树脂,(ii)光活性组分,和(iii)一种或多种不同于一种或多种树脂的材料,且包含(A)一种或多种碱活性基团和(B)一种或多种不同于所述碱活性基团的极性基团;和b)将施加的光致抗蚀剂层在辐射中浸没曝光以活化所述光致抗蚀剂组合物。本发明特别优选的光致抗蚀剂在浸没式光刻处理过程中,能够表现为减少了抗蚀剂材料浸出到与抗蚀剂层接触的浸液中。
搜索关键词: 包含 活性 组分 组合 光刻 工艺
【主权项】:
一种加工光致抗蚀剂组合物的方法,所述方法包含:a)在基材上施加光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物包含:(i)一种或多种树脂,(ii)光活性组分,和(iii)一种或多种不同于一种或多种树脂的材料,且包含(A)一种或多种碱活性基团和(B)一种或多种不同于所述碱活性基团的极性基团;和b)将施加的光致抗蚀剂层在辐射中浸没曝光以活化所述光致抗蚀剂组合物。
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