[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201110459410.9 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187297A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部；在所述鳍部的上表面及相对两侧面形成栅介质层；形成牺牲栅，所述牺牲栅横跨部分的所述鳍部，所述牺牲栅的横跨所述鳍部的部分位于所述栅介质层上；去除所述牺牲栅，暴露出所述栅介质层，所述栅介质层覆盖所述沟道区；向沟道区进行锗离子注入，形成应变硅锗沟道区；在应变硅锗沟道区上方形成横跨所述鳍部和栅介质层的栅极。本发明的方法能形成局部的应变硅锗沟道区，应变硅锗具有较高的载流子迁移率，从而利用应变硅锗沟道区能够在Fin-FET中实现较高的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部，所述鳍部具有沟道区；在所述鳍部的上表面及相对两侧面形成栅介质层；形成牺牲栅，所述牺牲栅横跨部分的所述鳍部，所述牺牲栅的横跨所述鳍部的部分位于所述栅介质层上；去除所述牺牲栅，暴露出所述栅介质层，所述栅介质层覆盖所述沟道区；向沟道区进行锗离子注入，形成应变硅锗沟道区；在应变硅锗沟道区上方形成横跨所述鳍部和栅介质层的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
