[发明专利]高出光效率蓝光LED芯片无效
| 申请号： | 201110458291.5 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103824921A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 华斌 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高出光效率蓝光LED芯片，包括位于底层的蓝宝石基板、生长于蓝宝石基板上方的n型GaN和量子阱结构、通过沉积和光刻制作于量子阱上方一层二维光子晶体结构、生长于二维光子晶体结构上方的p型GaN。在另一种结构下，其包括位于底层的蓝宝石基板、生长于蓝宝石基板上方的一层n型GaN、通过沉积和光刻制作于n型GaN上方一层二维光子晶体结构、生长于二维光子晶体结构上方的另一层n型GaN、以及依次生长于另一层n型GaN上方的量子阱和p型GaN。本发明通过使蓝光在二维光子晶体内禁止在xy平面内传播而只能沿z轴方向传播，在此方向大部分光线到达芯片表面时入射角将小于逃逸角锥的临界角，从而发射到芯片外。 | ||
| 搜索关键词： | 高出光 效率 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种高出光效率蓝光LED芯片，其特征在于：它包括位于底层的蓝宝石基板（1）、生长于所述的蓝宝石基板（1）上方的n型GaN（2）和量子阱结构（3）、通过沉积和光刻制作于所述的量子阱（3）上方一层二维光子晶体结构（4）、生长于所述的二维光子晶体结构（4）上方的p型GaN（5），所产生的蓝光在二维光子晶体（4）内沿垂直于芯片表面方向传播发射到芯片外。
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