[发明专利]石墨烯场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110454051.8 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187283A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种石墨烯场效应晶体管的制作方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成石墨烯沟道层；在所述石墨烯沟道层的两端形成源端和漏端；去除部分氧化硅层；在所述石墨烯沟道层上形成栅结构。本发明采用缓冲湿法腐蚀处理，去除了与石墨烯沟道层接触的氧化硅层，形成了悬空石墨烯沟道层，减小了SiO2薄膜对石墨烯带来的污染，从而可以提高源端和漏端之间石墨烯沟道层载流子迁移率，改善导电性能。本发明实施例还提供一种石墨烯场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅层；在所述氧化硅层上形成石墨烯沟道层；在所述石墨烯沟道层的两端上形成源端和漏端；去除源端和漏端之间的部分的氧化硅层，形成具有间隔的氧化硅层；在源端和漏端之间的所述石墨烯沟道层上形成栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
