[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201110453498.3 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187280A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；沉积阻挡层；刻蚀所述阻挡层和半导体衬底，形成鳍；沉积氧化层高过所述阻挡层；在所述氧化层上进行化学机械研磨至露出阻挡层；对所述氧化层进行离子注入；刻蚀所述氧化层。本发明通过在用于隔离体硅上的FinFET的氧化层内离子注入使得氧化层受损，从而来影响氧化层的刻蚀速率，这样就相当于在氧化层中设置了刻蚀停止层，使得刻蚀氧化层的厚度变得可控，从而让FinFET的鳍的高度变得容易控制，即能够实现鳍的高度的统一。并且，离子注入加快了氧化层的刻蚀速率，使得原本直接刻蚀会产生的footing现象消除了。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；沉积阻挡层；刻蚀所述阻挡层和半导体衬底，形成鳍；沉积氧化层高过所述阻挡层；在所述氧化层上进行化学机械研磨至露出阻挡层；对所述氧化层进行离子注入；刻蚀所述氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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