[发明专利]一种ITO图案化方法无效
| 申请号： | 201110451567.7 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102522323A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 邹建华;徐苗;王磊;陶洪;兰林锋;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/306 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ITO图案化形成方法，包括以下步骤：在基板上沉积ITO薄膜；在ITO薄膜上沉积一层SiO2薄膜；在SiO2薄膜上涂布感光光刻胶；通过曝光、显影图案化SiO2；通过干法刻蚀刻蚀完裸露的SiO2，露出下层的ITO薄膜；去除光刻胶；通过湿法处理腐蚀下层露出的ITO薄膜；通过干法刻蚀刻蚀完剩余ITO薄膜上的SiO2，得到所需ITO图案的基板。本发明采用SiO2作为ITO刻蚀的掩膜，避免了使用光刻胶作为掩模时造成的器件短路与断路现象，避免了使用易燃易爆危险气体和昂贵的刻蚀专用设备，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ito 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种ITO图案化方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在基板上依次沉积一层ITO薄膜、一层SiO2薄膜；（2）在（1）中的SiO2薄膜上涂布感光光刻胶；（3）通过光罩、曝光、显影后将基板欲形成ITO图案的感光光刻胶去除露出SiO2，剩下部分SiO2 仍被感光光刻胶覆盖；（4）通过干法刻蚀刻蚀（3）中露出的SiO2后露出ITO薄膜；（5）去除（3）中覆盖剩下部分SiO2 的感光光刻胶；（6）通过湿法刻蚀处理（4）中露出的ITO薄膜；（7）通过干法刻蚀处理（5）中剩余的SiO2，得到所需ITO图案的基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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