[发明专利]一种ITO图案化方法

权利要求书

1.一种ITO图案化方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）在基板上依次沉积一层ITO薄膜、一层SiO₂薄膜；

（2）在（1）中的SiO₂薄膜上涂布感光光刻胶；

（3）通过光罩、曝光、显影后将基板欲形成ITO图案的感光光刻胶去除露出SiO₂，剩下部分SiO₂ 仍被感光光刻胶覆盖；

（4）通过干法刻蚀刻蚀（3）中露出的SiO₂后露出ITO薄膜；

（5）去除（3）中覆盖剩下部分SiO₂ 的感光光刻胶；

（6）通过湿法刻蚀处理（4）中露出的ITO薄膜；

（7）通过干法刻蚀处理（5）中剩余的SiO₂，得到所需ITO图案的基板。

2.根据权利要求1所述的一种ITO图案化方法，其特征在于所述步骤（1）中的基板为玻璃基板、柔性基板或硅材料基板。

3.根据权利要求1所述的一种ITO图案化方法，其特征在于所述步骤（1）中ITO薄膜的沉积方式采用真空磁控溅射方式。

4.根据权利要求1所述的一种ITO图案化方法，其特征在于所述步骤（1）中SiO₂薄膜沉积方式采用等离子增强气相沉积方式或真空磁控溅射方式。

5.根据权利要求1所述的一种ITO图案化方法，其特征在于所述步骤（5）中采用干法去除方式或湿法去除感光光刻胶；

所述的光刻胶干法去除方式可以采用诱导耦合等离子方式或反应离子刻蚀方式；

所述的光刻胶湿法去除方式采用乙醇胺与二甲基亚砜的混合液或氢氧化钾溶液。

6.根据权利要求1所述的一种ITO图案化方法，其特征在于所述步骤（6）中湿法刻蚀所使用的腐蚀剂为王水、盐酸或氯化铁与水的混合液。

7.根据权利要求1所述的一种ITO图案化方法，其特征在于所述步骤（4）、（7）中，干法刻蚀采用的气体为含碳、氟元素的气体。

8.根据权利要求1所述的一种ITO图案化方法，其特征在于所述步骤（5）、（6）互换。