[发明专利]晶圆制造过程中Hfe测试方法有效
| 申请号： | 201110450168.9 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187330A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 夏忠明;潘之炜;吴学成 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;高为 |
| 地址： | 214028 中国无锡市国家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆制造过程中Hfe的测试方法。该方法包括待进行发射区扩散之前，腐蚀晶圆背面第一设定区的氧化层以露出集电区，腐蚀晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层以露出基区和发射区；使测试设备的相应电性触部接触所述集电区，使测试设备的探针的两个针接触部分别接触基区和发射区，其中基区、发射区、集电区以及测试设备之间在两个针接触部分别接触基区和发射区且电性触部接触集电区时，形成电性回路；以及由电性回路获得测试数据。本发明所述的方法可在发射区扩散之前及时获得放大数据。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 过程 hfe 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆制造过程中Hfe测试方法，其特征在于，所述方法包括： 待进行发射区扩散之前，腐蚀测试晶圆背面第一设定区的氧化层以露出集电区，腐蚀测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层以露出基区和发射区； 使测试设备的相应电性触部接触所述集电区，使测试设备的探针的两个针接触部分别接触所述基区和所述发射区，其中所述基区、发射区、集电区以及测试设备之间在所述两个针接触部分别接触所述基区和所述发射区且所述电性触部接触所述集电区时，形成电性回路；以及 由所述电性回路获得测试数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
