[发明专利]晶圆制造过程中Hfe测试方法

说明书

技术领域

    本发明涉及半导体器件制造，尤其涉及半导体制造过程中的Hfe测试。

背景技术

    半导体器件的制造过程包括一系列的检查工艺，以判断形成在晶圆上的芯片优良与否。Hfe（Hybrid Forward Common Emitter）测试便是检查工艺中较为重要的一个环节。Hfe测试的本质就是测试三极管的电流放大倍数。

    现有技术中，对Hfe的测试是在流片到合金阶段后再进行，具体地说是在铝合金完成且烘培过后的特性曲线检查阶段进行。

如本领域技术人员所已知的，最终形成的芯片的Hfe的性能取决于发射区扩散阶段。从发射区扩散到合金阶段要经过退火、引线孔形成、光刻、腐蚀、测双结、铝蒸发、再次光刻、以及铝腐蚀等多个工艺工程，便使得在铝合金阶段之后进行Hfe测试从而获得Hfe参数不能及时地用于修正发射区扩散的放大参数，而且所获得的数据不及时也不准确。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶圆制造过程中Hfe的测试方法。该方法包括待进行发射区扩散之前，腐蚀测试晶圆背面第一设定区的氧化层以露出集电区，腐蚀测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层以露出基区和发射区；使测试设备的相应电性触部接触所述集电区，使测试设备的探针的两个针接触部分别接触所述基区和所述发射区，其中所述基区、发射区、集电区以及测试设备之间在所述两个针接触部分别接触所述基区和所述发射区且所述电性触部接触所述集电区时，形成电性回路；以及由所述电性回路获得测试数据。

本发明所述的方法，优选地，腐蚀测试晶圆背面第一设定区的氧化层包括将测试晶圆背面的其它区域与所述第一设定区隔离开，腐蚀测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层包括将测试晶圆正面的其它区域与所述第二设定区隔离开。

本发明所述的方法，优选地，腐蚀测试晶圆背面第一设定区的氧化层以及腐蚀测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层是通过氢氟酸进行腐蚀。

本发明所述的方法，优选地，腐蚀测试晶圆背面第一设定区的氧化层5-30秒，腐蚀测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层1-5分钟。

本发明所述的方法，优选地，在腐蚀测试晶圆背面第一设定区的氧化层以及腐蚀测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层之后，清洗测试晶圆，并在清洗之后干燥所述第一设定区和第二设定区。优选地，清洗所述晶圆包括将测试晶圆在水中漂洗，以及以水枪对测试晶圆的正面和背面进行冲洗；而干燥所述第一设定区和第二设定区是用氮气吹干所述第一设定区和第二设定区。

本发明还提供一种晶圆制造过程中发射区扩散的控制方法，其特征在于，所述方法包括通过如上所述的方法进行Hfe测试，以及根据所获得的测试数据控制发射区扩散。更具体地，根据所获得的测试数据来控制发射区扩散的放大参数。

通过本发明所述的方法，可在进行发射区扩散之前进行Hfe测试，从而及时且准确地得到了发射区扩散的放大数据。 

附图说明

    图1是根据本发明所述的晶圆制造过程中Hfe测试方法的流程示意。

    图2是测试数据的一个示例。

    图3是根据本发明的测试晶圆被腐蚀区域的示意图。

图4是在本发明的晶圆制造过程中可以使用的腐蚀夹具的一个示例的示意图。

具体实施方式

    以下结合附图进一步说明本发明。本领域技术人员可以理解到，以下只是结合具体的实施方式来对本发明的主旨进行说明，并不就此限定本发明的实施。本发明所主张的范围由所附的权利要求确定，任何不脱离本发明精神的修改、变更都应由本发明的权利要求所涵盖。

    根据本发明，Hfe测试是在待进行发射区扩散之前对测试用晶圆所进行的，在此测试用晶圆也被称作先行片，在下文描述中，为简洁起见，将“测试用晶圆”称作“测试晶圆”。作为示例，在进行发射区扩散之前，晶圆可能已经历衬底制备、一次氧化、隐埋层光刻、隐埋层扩散、外延淀积、热氧化、隔离光刻、隔离扩散、再氧化、基区光刻、基区扩散、再分布及氧化、发射区光刻、背面掺金等工艺过程，本领域技术人员可以理解到，上述工艺过程根据实际应用可以有所删减或变更。