[发明专利]晶圆制造过程中Hfe测试方法

权利要求书

1.一种晶圆制造过程中Hfe测试方法，其特征在于，所述方法包括：

    待进行发射区扩散之前，腐蚀测试晶圆背面第一设定区的氧化层以露出集电区，腐蚀测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层以露出基区和发射区；

    使测试设备的相应电性触部接触所述集电区，使测试设备的探针的两个针接触部分别接触所述基区和所述发射区，其中所述基区、发射区、集电区以及测试设备之间在所述两个针接触部分别接触所述基区和所述发射区且所述电性触部接触所述集电区时，形成电性回路；以及

    由所述电性回路获得测试数据。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，腐蚀所述测试晶圆背面第一设定区的氧化层包括将所述测试晶圆背面的其它区域与所述第一设定区隔离开，腐蚀所述测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层包括将所述测试晶圆正面的其它区域与所述第二设定区隔离开。

3.根据权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，腐蚀所述测试晶圆背面第一设定区的氧化层以及腐蚀所述测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层是通过氢氟酸进行腐蚀。

4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，腐蚀所述测试晶圆背面第一设定区的氧化层5-30秒，腐蚀所述测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层1-5分钟。

5.根据权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，在腐蚀所述测试晶圆背面第一设定区的氧化层以及腐蚀所述测试晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层之后，清洗所述测试晶圆，并在清洗之后干燥所述第一设定区和第二设定区。

6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，清洗所述测试晶圆包括将所述晶圆在水中漂洗，以及以水枪对所述晶圆的正面和背面进行冲洗。

7.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，干燥所述第一设定区和第二设定区是用氮气吹干所述第一设定区和第二设定区。

8.一种晶圆制造过程中发射区扩散的控制方法，其特征在于，所述方法包括通过如权利要求1－7中任意一项所述的方法进行Hfe测试，以及根据所获得的测试数据控制晶圆发射区扩散。