[发明专利]一种硅片清洗方法

摘要

本发明提供了一种硅片清洗方法，包括粗洗、浸泡、清洗、干燥的步骤，本发明通过正反旋转，对硅片进行清单，可有效地去除附着在硅片上的残留研磨砂和杂质，确保硅片表面清洁度，另外，本发明不需要有相当大的清洗装置和大量的清洗液，消耗大量的电力以及花费许多时间，该方法可以有效的节约空间、节约成本、节约能源、节约时间及良好的清洗效果，且该方法成本低、操作简单，环境污染小。

主权项

一种硅片清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：A、粗洗：将硅片放入硅片清洗篮内，将载有硅片的清洗篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为80KHz，粗洗时间为15分钟；B、浸泡：室温中将粗洗后的硅片的放入柠檬酸中浸泡，柠檬酸的质量百分比浓度为10％，浸上泡时间为30分钟；再浸入煤油中浸泡20分钟；C、清洗：将浸泡后的硅片浸入去离子水中，进行清洗；去离子水中含有绒毛颗粒，绒毛颗粒的含量为20％，按体积比计算；清洗进程中，硅片在去离子水中旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1‑2分钟；再反向旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1‑2分钟；反复多次，清洗总时间为6～20分钟，清洗温度为30～85℃；D、干燥：将上述清洗后的硅片进行氮气干燥处理，氮气流速为12m/s。