[发明专利]一种硅片清洗方法

权利要求书

1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、粗洗：将硅片放入硅片清洗篮内，将载有硅片的清洗篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为80KHz，粗洗时间为15分钟；

B、浸泡：室温中将粗洗后的硅片的放入柠檬酸中浸泡，柠檬酸的质量百分比浓度为10％，浸上泡时间为30分钟；再浸入煤油中浸泡20分钟；

C、清洗：将浸泡后的硅片浸入去离子水中，进行清洗；去离子水中含有绒毛颗粒，绒毛颗粒的含量为20％，按体积比计算；清洗进程中，硅片在去离子水中旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1-2分钟；再反向旋转，硅片旋转的速度为20r/min，转动1-2分钟；反复多次，清洗总时间为6～20分钟，清洗温度为30～85℃；

D、干燥：将上述清洗后的硅片进行氮气干燥处理，氮气流速为12m/s。

2.如权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述氮气经过加温处理，氮气的温度为20℃，氮气的纯度为99％(按质量百分比计算)。

3.如权利要求1或2所述的硅片清洗方法，其特征在于，氮气的出口设有挡板，所述挡板上均匀设有多个出气孔。

4.如权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，绒毛颗粒的粒度为200um。