[发明专利]包括二极管的半导体器件有效
| 申请号： | 201110446266.5 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569298A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | H-G.埃克尔;J.舒曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及包括二极管的半导体器件。一种半导体器件包括阴极和阳极。阳极包括第一p型半导体阳极区域和第二p型半导体阳极区域。第一p型半导体阳极区域电连接到阳极接触区域。第二p型半导体阳极区域经由开关电耦合到阳极接触区域，该开关配置成提供第二p型阳极区域和阳极接触区域之间的电连接或电断开。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 二极管 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：阴极；以及包括第一p型半导体阳极区域和第二p型半导体阳极区域的阳极，该第一p型半导体阳极区域电连接到阳极接触区域，该第二p型半导体阳极区域经由开关电耦合到阳极接触区域，该开关配置成提供第二p型半导体阳极区域和阳极接触区域之间的电连接或电断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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