[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池、电池组件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110443818.7 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN103187457A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 杨培;辜琼谊;牛学鹏 申请(专利权)人: 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司
主分类号: H01L31/0296 分类号: H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 唐立;王忠忠
地址: 214028 中国*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池、电池组件及其制备方法,属于薄膜太阳电池技术领域。该CdTe薄膜太阳电池的所述碲化镉层上依次形成有铜薄膜层和氮化钼层,所述铜薄膜层和氮化钼层用于形成位于所述背电极层与所述碲化镉层之间的背接触结构。CdTe薄膜太阳电池的制备方法中包括用于形成背接触结构的铜薄膜层沉积步骤和氮化钼层沉积步骤。本发明提供的CdTe薄膜太阳电池具有接触电阻小、转换效率高的特点,并且可以实现低成本地大面积制备背接触结构。
搜索关键词: 碲化镉 薄膜 太阳电池 电池 组件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种碲化镉薄膜太阳电池,包括由碲化镉层形成的pn异质结结构、以及背电极层,其特征在于,所述碲化镉层上依次形成有铜薄膜层和氮化钼层,所述铜薄膜层和氮化钼层用于形成位于所述背电极层与所述碲化镉层之间的背接触结构。
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