[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池、电池组件及其制备方法无效
申请号: | 201110443818.7 | 申请日: | 2011-12-27 |
公开(公告)号: | CN103187457A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 杨培;辜琼谊;牛学鹏 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 唐立;王忠忠 |
地址: | 214028 中国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池、电池组件及其制备方法,属于薄膜太阳电池技术领域。该CdTe薄膜太阳电池的所述碲化镉层上依次形成有铜薄膜层和氮化钼层,所述铜薄膜层和氮化钼层用于形成位于所述背电极层与所述碲化镉层之间的背接触结构。CdTe薄膜太阳电池的制备方法中包括用于形成背接触结构的铜薄膜层沉积步骤和氮化钼层沉积步骤。本发明提供的CdTe薄膜太阳电池具有接触电阻小、转换效率高的特点,并且可以实现低成本地大面积制备背接触结构。 | ||
搜索关键词: | 碲化镉 薄膜 太阳电池 电池 组件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碲化镉薄膜太阳电池,包括由碲化镉层形成的pn异质结结构、以及背电极层,其特征在于,所述碲化镉层上依次形成有铜薄膜层和氮化钼层,所述铜薄膜层和氮化钼层用于形成位于所述背电极层与所述碲化镉层之间的背接触结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的