[发明专利]磁存储器件及其制造方法、反应室有效
| 申请号： | 201110441857.3 | 申请日： | 2005-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102522498A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 金泰完;车国麟;金大植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;B82Y10/00;G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供磁存储器件及其制造方法、反应室。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 制造 方法 反应 | ||
【主权项】：
一种磁存储器件，其包括开关装置和连接到所述开关装置的MTJ单元，其中所述MTJ单元包括：一连接到所述开关装置的下电极；和依次堆叠在所述下电极上的一下磁层、一包含氟的隧穿膜、一上磁层和一盖帽层，其中所述隧穿膜的氟分布在所述隧穿膜的表面层上，且其中所述隧穿膜是单层。
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