[发明专利]场效应晶体管互补反相器及其制备方法在审
| 申请号： | 201110440844.4 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103178060A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 洪飞;张其国;谭莉;郭晓东;申剑锋 | 申请（专利权）人： | 上海中科联和显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴世华;张龙哺 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种场效应晶体管互补反相器，包括：基板、N型场效应晶体管、与该N型场效应晶体管成对设置的P型场效应晶体管，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管共用一个栅电极并作为该互补反相器的输入端，该N型场效应晶体管的漏极和P型场效应晶体管的漏极连接作为该互补反相器的输出端；该基板上设有多个垂直分布的器件层，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管分别位于不同的器件层。采用了上述结构的互补反相器进一步降低了互补反相器的占用面积，从而可以提高集成电路的集成度。本发明还公开了一种制备场效应晶体管互补反相器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 互补 反相器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管互补反相器，包括：基板、N型场效应晶体管、与该N型场效应晶体管成对设置的P型场效应晶体管，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管共用一个栅电极并作为该互补反相器的输入端，该N型场效应晶体管的漏极和P型场效应晶体管的漏极连接作为该互补反相器的输出端；其特征在于：该基板上设有多个垂直分布的器件层，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管分别位于不同的器件层，分别为第一器件层和第二器件层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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