[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110436204.6 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103178091A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 邓永平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法，在刻蚀形成栅极时，在原有漏极区域衬底上保留部分多晶硅作为阻挡结构，因此在离子注入形成源漏极时，由于阻挡结构的存在，会在衬底形成两个不连续的漏极区域，以远离栅极的漏极区域作为漏极端，且由于阻挡结构使得进入衬底形成漏极区域的离子注入剂量、深度以及浓度会相应减小，因而，使得LDMOS漏到源的击穿电压增大，达到缩小LDMOS尺寸的同时，提高击穿电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，包括第一导电类型衬底以及在第一导电类型衬底上依次形成的栅氧化层及多晶硅栅极；所述第一导电类型衬底包括第一导电类型的深阱区和第二导电类型的漂移区，所述第一导电类型的深阱区中设置有源极，所述第二导电类型的漂移区中设置有漏极区域；其特征在于，所述漏极区域包括不连续的第一漏极区域及第二漏极区域，且在所述远离栅极结构的第二漏极区域上形成有漏极。
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