[发明专利]制造碳化硅单晶的装置在审
| 申请号： | 201110431762.3 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102534770A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 徳田雄一郎;原一都;小岛淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈珊;刘兴鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 装置 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅单晶(20)的装置，其通过从由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶，该装置包括：圆柱形管状加热容器(8)，其具有限定反应腔的内壁表面；基部(9)，其定位于加热容器的反应腔中并且具有第一侧和与第一侧相反的第二侧，籽晶安装于基部的第一侧上；第一净化气体入口(8b)，其设置于加热容器的内壁以引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动；净化气体源(14)，其用于将净化气体供应至第一净化气体入口；第二净化气体入口(93)，其设置于基部的外壁以引起净化气体沿着基部的外壁表面流动；以及净化气体导入机构(11)，其用于支撑基部以及用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部。
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