[发明专利]电平移动电路以及开关电源装置

摘要

本发明提供电平移动电路以及开关电源装置，能够不使用高耐压工艺地实现在电路方面高耐压化的电平移动电路。电平移动电路具有锁存电路(22)以及输出级(23)，锁存电路(22)具有一对CMOS逆变器，使一个逆变器的输出节点与另一逆变器的P沟道型MOS晶体管的栅极端子交叉耦合，输出级(23)由与该锁存电路的某一个输出节点连接的CMOS逆变器形成，在该电平移动电路中，在构成锁存电路的一对CMOS逆变器的各P沟道型MOS晶体管(Mp1、Mp2)和N沟道型MOS晶体管(Mn1、Mn2)之间，分别以串联形式设置了将栅极端子与施加了电源电压和接地电位的中间电位的第三电压端子(FGND)连接的P沟道型MOS晶体管(Mp4、Mp5)。

主权项

一种电平移动电路，其具有电平变换单元以及输出级，上述电平变换单元具有在供给第一电源电压的第一电源电压端子和接地点之间串联连接的第一导电型MOS晶体管以及第二导电型MOS晶体管，接收在低于所述第一电源电压的第二电压和接地电位之间变化的第一振幅的信号，变换为以所述第一电源电压为基准的第二振幅的信号，上述输出级具有在所述第一电源电压端子与供给低于所述第一电源电压高于所述接地电位的第三电压的第三电压端子之间串联连接的第一导电型MOS晶体管以及第二导电型MOS晶体管，并且与所述电平变换单元的输出节点连接，所述电平移动电路的特征在于，在所述电平变换单元的所述第一导电型MOS晶体管和所述第二导电型MOS晶体管之间，以串联形式连接了栅极端子与所述第三电压端子连接的第一导电型MOS晶体管。