[发明专利]通过大气压力下的原子层沉积(ALD)制造光学膜的方法有效
申请号: | 201110427409.8 | 申请日: | 2008-09-18 |
公开(公告)号: | CN102433549A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 埃琳娜·A·费多罗夫斯卡亚;约翰·理查德·菲森;罗纳德·史蒂文·科克 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制备光学膜或光学阵列的方法包括:沿着伸长的基本平行的通道同时导入一系列气流以在基底上形成第一薄膜;其中所述一系列气流依次包括至少第一反应性气体材料、惰性吹扫气体和第二反应性气体材料;其中第一反应性气体材料能够与经第二反应性气体材料处理过的基底表面反应以形成第一薄膜;重复第一步骤多次,以产生具有第一光学特性的第一厚度的第一膜层;其中上述方法在大气压力下或在高于大气压力下实施;重复第一和第二步骤以产生第二膜层;其中该方法基本上在大气压力下或在高于大气压力下实施。 | ||
搜索关键词: | 通过 大气压力 原子 沉积 ald 制造 光学 方法 | ||
【主权项】:
一种制备薄膜电子器件的方法,包括:在基底上提供电子器件;提供包括第一反应性气体材料的第一源、第二反应性气体材料的第二源、和惰性气体材料的第三源的多种气体材料源;提供通过多个进口与所述气体材料源流体连通的递送头,所述第一气体材料源连接到第一进口;所述第二气体材料源连接到第二进口;所述第三气体材料源连接到第三进口;所述递送头包括输出面和与所述第一进口流体连通的第一多个伸长的基本平行的发射通道、与所述第二进口连接的第二多个伸长的基本平行的发射通道、和与第三进口连接的第三多个伸长的基本平行的发射通道,所述第三伸长发射通道中的至少一个设置为分离所述第一伸长发射通道中的至少一个和所述第二伸长发射通道中的至少一个;使得所述第一反应性气体材料、所述第二反应性气体材料、和所述惰性气体材料的一种或更多种分别流动通过所述递送头的所述第一伸长发射通道、所述第二伸长发射通道、和所述第三伸长发射通道,所述流动包括压力,所述压力由产生气态流体轴承的所述第一反应性气体材料、所述第二反应性气体材料、和所述第三惰性气体材料的一种或更多种的流动而产生,所述气态流体轴承维持所述递送头的输出面和所述基底之间的基本上均匀的距离;同时引导所述第一反应性气体材料、所述第二反应性气体材料、和所述惰性气体材料分别流动通过所述递送头的所述第一伸长发射通道、所述第二伸长发射通道、和所述第三伸长发射通道,朝向所述电子器件和所述基底;使得所述递送头和所述基底之间相互移动,以使得所述第二反应性气体材料至少与经所述第一反应性气体材料处理过的基底的一部分和电子器件的一部分反应,以至少在经所述第一反应性气体材料处理过的基底的一部分和电子器件的一部分上形成薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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