[发明专利]一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺，选取磷扩散后的晶体硅片，采用PECVD工艺在硅片行进方向上设定不同的微波功率、温度和气体流量比，从而形成一个由下到上折射率依次降低但无明显界限的渐变氮化硅减反射膜。采用本发明方法制备获得的渐变氮化硅底层高折射率的氮化硅薄膜直接接触硅片表面，形成良好的钝化效果，底层高折射率的氮化硅薄膜层较薄，吸光损失较小，对晶体硅太阳能电池的转换效率影响较小，采用高低折射率渐变的氮化硅薄膜，减少了光的反射，提高了减反射效果，有利于提升晶体硅太阳能电池的转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺，其特征是：选取磷扩散后的晶体硅片，采用PECVD工艺在硅片行进方向上设定不同的微波功率、温度和气体流量比参数，从而形成一个由下到上折射率依次降低但无明显界限的渐变氮化硅减反射膜。